SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-30683"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-30683" > Activation of shall...

Activation of shallow boron acceptor in CB coimplanted silicon carbide : A theoretical study

Gali, A (författare)
Hornos, T (författare)
Deák, P (författare)
visa fler...
Nguyen, Son Tien, 1953- (författare)
Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Linköpings universitet, Materiefysik
Janzén, Erik, 1954- (författare)
Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Linköpings universitet, Materiefysik
Choyke, W (författare)
visa färre...
Linköpings universitet Tekniska högskolan. 
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi. Materiefysik. 
2005
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - 0003-6951. ; 86:10, s. 102108
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Ab initio supercell calculations have been carried out to investigate the complexes of boron acceptors with carbon self-interstitials in cubic silicon carbide. Based on the calculated binding energies, the complex formation of carbon interstitials with shallow boron acceptor and boron interstitial is energetically favored in silicon carbide. These bistable boron defects possess deep, negative- U occupation levels in the band gap. The theoretical results can explain the observed activation rates in carbon-boron coimplantation experiments. © 2005 American Institute of Physics.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  (hsv//eng)

Nyckelord

NATURAL SCIENCES
NATURVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy