SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-45705"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-45705" > Radiation resistanc...

Radiation resistance of transistor- and diode-type SiC detectors irradiated with 8-MeV protons

Strokan, N.B., (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
Ivanov, A.M., (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
Savkina, N.S., (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
visa fler...
Lebedev, A.A., (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
Kozlovskii, V.V., (författare)
Kozlovskii, V.V., St. Petersburg Polytech. University, Politekhnicheskaya ul. 29, St. Petersburg, 195251, Russian Federation
Syväjärvi, Mikael, (författare)
Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Linköpings universitet, Materiefysik
Yakimova, Rositsa, (författare)
Linköpings universitet, Tekniska högskolan, Linköpings universitet, Materiefysik
visa färre...
Linköpings universitet Tekniska högskolan. 
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi. Materiefysik. 
2004
Engelska.
Ingår i: Semiconductors (Woodbury, N.Y.). - 1063-7826. ; 38:7, s. 807-811
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Nuclear-particle detectors based on SiC with a structure composed of an n+-type substrate, a p-type epitaxial layer, and a Schottky barrier are studied. Structures with a ~10-µm-thick 6H-SiC layer exhibit transistor properties, whereas those with a ~30-µm-thick 4H-SiC layer exhibit diode properties. It is established that a more than tenfold amplification of the signal is observed in the transistor-type structure. The amplification is retained after irradiation with 8-MeV protons with a dose of at least 5 × 1013 cm-2, in this case, the resolution is =10%. Amplification of the signal was not observed in the structures of diode type. However, there were diode-type detectors with a resolution of ˜3%, which is acceptable for a number of applications, even after irradiation with the highest dose of 2 × 1014 cm-2. © 2004 MAIK "Nauka/Interperiodica".

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  (hsv//eng)

Nyckelord

TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy