SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:services.scigloo.org:145958"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:services.scigloo.org:145958" > Assessment of VCSEL...

Assessment of VCSEL thermal rollover mechanisms from measurements and empirical modeling

Baveja, P. P. (författare)
Kögel, Benjamin, 1979- (författare)
Chalmers tekniska högskola, Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Westbergh, Petter, 1981- (författare)
Chalmers tekniska högskola, Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
visa fler...
Gustavsson, Johan, 1974- (författare)
Chalmers tekniska högskola, Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Haglund, Åsa, 1976- (författare)
Chalmers tekniska högskola, Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Maywar, D. N. (författare)
Agrawal, G. P. (författare)
Larsson, A. (författare)
Larsson, Anders, 1957- (författare)
Chalmers tekniska högskola, Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
visa färre...
Chalmers tekniska högskola Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik. 
2011
Engelska.
Ingår i: Optics Express. - 1094-4087. ; 19:16, s. 15490-15505
Läs hela texten (Fulltext, fritt tillgänglig)
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • We use an empirical model together with experimental measurements for studying mechanisms contributing to thermal rollover in vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). The model is based on extraction of the temperature dependence of threshold current, internal quantum efficiency, internal optical loss, series resistance and thermal impedance from measurements of output power, voltage and lasing wavelength as a function of bias current over an ambient temperature range of 15-100 degrees C. We apply the model to an oxide-confined, 850-nm VCSEL, fabricated with a 9-mu m inner-aperture diameter and optimized for highspeed operation, and show for this specific device that power dissipation due to linear power dissipation (sum total of optical absorption, carrier thermalization, carrier leakage and spontaneous carrier recombination) exceeds power dissipation across the series resistance (quadratic power dissipation) at any ambient temperature and bias current. We further show that the dominant contributors to self-heating for this particular VCSEL are quadratic power dissipation, internal optical loss, and carrier leakage. A rapid reduction of the internal quantum efficiency at high bias currents (resulting in high temperatures) is identified as being the major cause of thermal rollover. Our method is applicable to any VCSEL and is useful for identifying the mechanisms limiting the thermal performance of the device and to formulate design strategies to ameliorate them.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences (hsv//eng)

Nyckelord

Fysik
Physics
surface-emitting lasers
active-region
performance
power

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy