↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Tyck till om SwePub Sök här!

Träfflista för sökning "swepub ;pers:(Larsson Anders);mspu:(article);pers:(Sadeghi Mahdad 1964)"

Sökning: swepub > Larsson Anders > Tidskriftsartikel > Sadeghi Mahdad 1964

Resultat 31-40 av 42

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
31.	Tångring, Ivar, 1978, et al. (författare) Metamorphic growth of 1.25 – 1.29 µm InGaAs quantum well lasers by molecular beam epitaxy 2007 Ingår i: Journal of Crystal Growth. - : Elsevier BV. - 0022-0248. ; 301:SPEC. ISS., s. 971-974 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract We demonstrate 1.25–1.29 μm metamorphic laser diodes grown on GaAs by molecular beam epitaxy (MBE) using an alloy-graded buffer layer (GBL). Use of Be in the GBL is effective to reduce surface/interface roughness and improves optical quality. The RMS surface roughness of the optimized metamorphic laser is only two atomic monolayers for 1×1 μm2. Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) images confirm that most dislocations are blocked in the GBL. Ridge waveguide lasers with 4 μm wide ridge were fabricated and characterized. The average threshold current under the pulsed excitation is in 170–200 mA for a cavity length of 0.9–1.5 mm. This value can be further reduced to about 100 mA by high-reflectivity coating. Lasers can work in an ambient temperature up to at least 50 °C.
32.	Wang, Shu Min, 1963, et al. (författare) 1.3 µm GaInNAs Edge Emitting Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 2009 Ingår i: Journal of Crystal Growth. - 0022-0248. ; 311, s. 1863-1867 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
33.	Wang, Shu Min, 1963, et al. (författare) 1.3 to 1.5 um light emission from InGaAs/GaAs quantum wells 2004 Ingår i: Applied Physics Letter. ; 85, s. 875- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
34.	Wang, Shu Min, 1963, et al. (författare) Dilute Nitrides and 1.3 μm GaInNAs Quantum Well Lasers on GaAs 2009 Ingår i: Microelectronics Journal. - 0959-8324. ; 40, s. 386-391 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
35.	Wang, Shu Min, 1963, et al. (författare) Growth of dilute nitrides and 1.3 μm edge emitting lasers on GaAs by MBE 2011 Ingår i: Physica Status Solidi (B): Basic Research. - : Wiley. - 1521-3951 .- 0370-1972. ; 248:5, s. 1207-1211 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract In this paper, we report recent progresses on growth of dilute nitrides and 1.3 mu m lasers on GaAs using molecular beam epitaxy at Chalmers University of Technology, Sweden. Intense long wavelength light emission up to 1.71 mu m at room temperature has been achieved by using the N irradiation method and the low growth rate. It is also demonstrated that incorporation of N in relaxed InGaAs buffer grown on GaAs strongly enhances the optical quality of metamorphic InGaAs quantum wells. With the optimized growth conditions and the laser structures, we demonstrate 1.3 mu m GaInNAs edge emitting lasers on GaAs with state-of-the-art performances including a low threshold current density, a high-characteristic temperature, a 3 dB bandwidth of 17 GHz and uncooled operation at 10 Gbit/s up to 110 degrees C. The laser performances are comparable with the best reported data from the InGaAsP lasers on InP and is superior to the InAs quantum dot lasers on GaAs.
36.	Wang, Shu Min, 1963, et al. (författare) Very low threshold current density of 1.3 µm GaInNAs Single Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 2005 Ingår i: Journal of Crystal Growth. ; 278, s. 734- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
37.	Wei, Yongqiang, 1975, et al. (författare) 12. Long-Wavelength InGaAs/GaAs Quantum-Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 2005 Ingår i: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. ; 278, s. 747- Tidskriftsartikel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
38.	Wei, Yongqiang, 1975, et al. (författare) 2. High performance 1.28 mm GaInNAs Double Quantum Well lasers 2005 Ingår i: ELECTRONICS LETTERS. ; 41:24, s. 1328- Tidskriftsartikel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
39.	Zhao, Qing Xiang, 1962, et al. (författare) Optical properties of GaInNAs/GaAs quantum well structures 2007 Ingår i: Thin Solid Films. ; 515, s. 4423- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
40.	Zhao Ternehäll, Huan, 1982, et al. (författare) A 1.31 μm GaInNAs Triple Quantum Well Laser with 13 GHz Small Signal Modulation Bandwidth 2009 Ingår i: Electronics Letters. - 1350-911X .- 0013-5194. ; 45, s. 356-357 Tidskriftsartikel (refereegranskat)

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 31-40 av 42

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: tidskriftsartikel (42)Ta bort avgränsningen

Typ av innehåll: refereegranskat (39); övrigt vetenskapligt/konstnärligt (3)

Författare/redaktör: Sadeghi, Mahdad,... (42)Ta bort avgränsningen; Larsson, Anders, 195 ... (42); Wang, Shu Min, 1963 (41); Wei, Yongqiang, 1975 (15); Zhao, Qing Xiang, 19 ... (12); Adolfsson, Göran, 19 ... (10); visa fler...; Zhao Ternehäll, Huan ... (8); Melanen, P. (7); Larkins, Eric (7); Gustavsson, Johan, 1 ... (6); Mackenzie, R (6); Sujecki, S. (6); Lim, Jun (5); Uusimaa, Peteri (5); Willander, Magnus (4); Lai, Zonghe, 1948 (4); Sipilä, Pekko (4); Lu, W (4); Bull, S (4); Lim, J.J. (4); Gu, Qinfen (3); Chao, S. (3); Foxon, Tom (3); Ferdos, Fariba, 1966 (3); Bengtsson, Jörgen, 1 ... (2); Vilokkinen, Ville (2); Haglund, Åsa, 1976 (2); Westbergh, Petter, 1 ... (2); Zhao, Qingxiang, 196 ... (2); Wang, Xiaodong (2); Andrianov, A.V. (2); Song, Yuxin, 1981 (2); Zhao, Qingxiang (2); Smowton, Peter (2); George, A.A. (2); Lu, X. (1); Willander, Magnus, 1 ... (1); Marcinkevicius, Saul ... (1); Hedekvist, Per Olof ... (1); Westlund, Mathias, 1 ... (1); Ma, L (1); Friesel, Milan, 1948 (1); Chen, Weimin, 1959- (1); Fu, Ying (1); Buyanova, Irina, 196 ... (1); Campion, R.P. (1); Shao, J. (1); Fu, Ying, 1964- (1); Wang, X D (1); Dumitrescu, M. (1); visa färre...

Lärosäte: Chalmers tekniska högskola (42); Linköpings universitet (7); Göteborgs universitet (5); Kungliga Tekniska Högskolan (1)

Språk: Engelska (42)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Teknik (36); Naturvetenskap (12)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy