SwePub
Tyck till om SwePub Sök här!
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Dangtip S.) "

Sökning: WFRF:(Dangtip S.)

  • Resultat 1-10 av 43
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Intarasiri, S., et al. (författare)
  • Activation energy of the growth of ion-beam-synthesized nano-crystalline 3C-SiC
  • 2007
  • Ingår i: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. - : Elsevier BV. - 0168-583X .- 1872-9584. ; 257, s. 195-198
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • In this experiment, carbon ions at 40 keV were implanted into (10 0) high-purity p-type silicon wafers at 400 degrees C to a fluence of 6.5 x 10(17) ions/cm(2). Subsequent thermal annealing of the implanted samples was performed in a vacuum furnace at 800-1000 degrees C. Glancing incidence X-ray diffraction (GIXRD) was used to characterize the crystalline quality and estimate the grain size of nano-crystalline 3C-SiC. Activation energy for the growth of 3C-SiC was evaluated following the annealing behaviour of the GIXRD-characteristic 3C-SiC (111) peaks. It was found that the 3C-SiC was directly formed during ion implantation at this substrate temperature and the activation energy of the process was about 0.05 eV. Such a low energy was explained in terms of ion beam induced precipitate formation.
  •  
2.
  •  
3.
  •  
4.
  •  
5.
  •  
6.
  •  
7.
  •  
8.
  •  
9.
  •  
10.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-10 av 43

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy