↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Tyck till om SwePub Sök här!

Träfflista för sökning "WFRF:(Olsson Gustaf) "

Sökning: WFRF:(Olsson Gustaf)

Resultat 1-10 av 357

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Andersson, Pernille, et al. (författare) The Pedagogical Academy - a Way to Encourage and Reward Scholarly Teaching 2003 Ingår i: Improving Student Learning: Theory and Practice-10 years on. - 1 873576 69 2 ; , s. 307-314 Konferensbidrag (refereegranskat)
2.	Bark, Glenn, et al. (författare) Politikerna struntar i klimatforskningen : 420 forskare: Regeringens politik är katastrofal – nu måste fler svenskar kräva en omställning 2023 Ingår i: Aftonbladet Debatt. - 1103-9000. Tidskriftsartikel (populärvet., debatt m.m.)abstract DEBATE. We researchers have long demanded that the government take climate research seriously and speed up the transition to a sustainable society.Instead, the government is pursuing a policy that deliberately increases emissions. Now more citizens need to raise their voices and show that we demand a knowledge-based climate transition, and it is urgent.
3.	Kehoe, Laura, et al. (författare) Make EU trade with Brazil sustainable 2019 Ingår i: Science. - : American Association for the Advancement of Science (AAAS). - 0036-8075 .- 1095-9203. ; 364:6438, s. 341- Tidskriftsartikel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
4.	Abermann, Stephan, et al. (författare) Comparative Study On The Impact Of TiN and Mo Metal Gates ON MOCVD-Grown HfO2 and ZrO2 High-k Dielectrics For CMOS Technology 2006 Ingår i: Proceedings of 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS). Konferensbidrag (refereegranskat)
5.	Abermann, S., et al. (författare) Impact of Al-, Ni-, TiN-, and Mo-metal gates on MOCVD-grown HfO2 and ZrO2 high-k dielectrics 2007 Ingår i: Microelectronics and reliability. - : Elsevier BV. - 0026-2714 .- 1872-941X. ; 47:4-5, s. 536-539 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract In this work we compare the impacts of nickel (Ni), titanium-nitride (TiN), molybdenum (Mo), and aluminium (Al), gates on MOS capacitors incorporating HfO2- or ZrO2-dielectrics. The primary focus lies on interface trapping, oxide charging, and thermodynamical stability during different annealing steps of these gate stacks. Whereas Ni, Mo, and especially TIN are investigated as most promising candidates for future CMOS devices, Al acted as reference gate material to benchmark the parameters. Post-metallization annealing of both, TiN- and Mo-stacks, resulted in very promising electrical characteristics. However, gate stacks annealed at temperatures of 800 degrees C or 950 degrees C show thermodynamic instability and related undesirable high leakage currents.
6.	Abermann, S, et al. (författare) Impact of Al-, Ni-, TiN-, and Mo metal gates on MOCVD-grown HfO2 and ZrO2 high-K dielectrics 2006 Konferensbidrag (refereegranskat)
7.	Abermann, S., et al. (författare) Processing and evaluation of metal gate/high-k/Si capacitors incorporating Al, Ni, TiN, and Mo as metal gate, and ZrO2 and HfO2 as high-k dielectric 2007 Ingår i: Microelectronic Engineering. - : Elsevier BV. - 0167-9317 .- 1873-5568. ; 84:5-8, s. 1635-1638 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract We evaluate various metal gate/high-k/Si capacitors by their resulting electrical characteristics. Therefore, we process MOS gate stacks incorporating aluminium (Al), nickel (Ni), titanium-nitride (TiN), and molybdenum (Mo) as the gate material, and metal organic chemical vapour deposited (MOCVD) ZrO2 and HfO2 as the gate dielectric, respectively. The influence of the processing sequence - especially of the thermal annealing treatment - on the electrical characteristics of the various gate stacks is being investigated. Whereas post metallization annealing in forming gas atmosphere improves capacitance-voltage behaviour (due to reduced interface-, and oxide charge density), current-voltage characteristics degrade due to a higher leakage current after thermal treatment at higher temperatures. The Flatband-voltage values for the TiN-, Mo-, and Ni-capacitors indicate mid-gap pinning of the metal gates, however, Ni seems to be thermally unstable on ZrO2, at least within the process scheme we applied.
8.	Abermann, S., et al. (författare) Processing and evaluation of metal gate/high-k/Si capacitors incorporating Al, Ni, TiN, and Mo as metal gate, and ZrO2 and HfO2 as high-k dielectric 2006 Ingår i: Presented at Int. Conf. on Micro- and Nano-Engineering. Konferensbidrag (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
9.	Activity Report: Automatic Control 1973-1974 1974 Rapport (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
10.	Activity Report: Automatic Control 1974-1975 1975 Rapport (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-10 av 357

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: tidskriftsartikel (133); konferensbidrag (90); rapport (75); bokkapitel (26); bok (15); forskningsöversikt (7); visa fler...; doktorsavhandling (6); annan publikation (3); licentiatavhandling (2); visa färre...

Typ av innehåll: refereegranskat (241); övrigt vetenskapligt/konstnärligt (108); populärvet., debatt m.m. (8)

Författare/redaktör: Olsson, Gustaf (255); Nicholls, Ian A. (32); Sjöblom, Gustaf (19); Olsson, Jörgen (17); Olsson, Bengt (13); Jeppsson, Ulf (13); visa fler...; Egnell, Gustaf (13); Mattiasson, Bo (12); Rosén, Christian (11); Simpson, A (10); Liu, Jing (10); Åström, Karl Johan (8); Wiklander, Jesper G. ... (7); Suriyanarayanan, Sub ... (7); Liu, Yi (7); Ujang, Z. (6); de Jong, Johnny (6); Carlsson, Bengt (5); Edgren, Gustaf (5); Abermann, S. (4); Bertagnolli, E. (4); Damayanti, A. (4); Ericson, Lars (4); Henschel, Henning (4); Sellergren, Börje (4); Andrews, John F. (4); Gerhardt, Karin (4); Vanrolleghem, P. (4); Boström, Gustaf (4); Olsson, Jörgen, 1966 ... (3); Efavi, J. (3); Lövheim, Hugo, 1981- (3); Andersson, Håkan S. (3); Wikman, Susanne (3); Rieger, L. (3); Akselsson, Cecilia (3); Olsson, Martin L (3); Löfgren, Stefan (3); Berglund, Håkan (3); Eriksson, Leif, 1970 (3); Spanjers, H. (3); Steyer, J.-P. (3); Rosendahl, Erik (3); Ljungman, Gustaf (3); Nielsen, M. (3); Ulander, Lars, 1962 (3); Aspegren, H (3); Lundin-Olsson, Lille ... (3); Fransson, J E S (3); Blom, Hans-Olof (3); visa färre...

Lärosäte: Lunds universitet (261); Uppsala universitet (48); Linnéuniversitetet (34); Sveriges Lantbruksuniversitet (13); Chalmers tekniska högskola (9); Umeå universitet (8); visa fler...; Karolinska Institutet (6); Malmö universitet (5); Göteborgs universitet (3); Linköpings universitet (3); Kungliga Tekniska Högskolan (2); Stockholms universitet (2); Högskolan Väst (2); RISE (2); Luleå tekniska universitet (1); Mittuniversitetet (1); Högskolan i Skövde (1); Karlstads universitet (1); IVL Svenska Miljöinstitutet (1); visa färre...

Språk: Engelska (314); Svenska (34); Odefinierat språk (3); Kinesiska (2); Tyska (1); Franska (1); visa fler...; Ryska (1); Koreanska (1); visa färre...

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Teknik (268); Naturvetenskap (49); Medicin och hälsovetenskap (18); Lantbruksvetenskap (13); Samhällsvetenskap (8); Humaniora (3)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy