SwePub
Tyck till om SwePub Sök här!
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Holland H) ;mspu:(conferencepaper)"

Sökning: WFRF:(Holland H) > Konferensbidrag

  • Resultat 1-4 av 4
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  •  
2.
  •  
3.
  •  
4.
  • Vasen, T., et al. (författare)
  • InAs nanowire GAA n-MOSFETs with 12-15 nm diameter
  • 2016
  • Ingår i: 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, VLSI Technology 2016. - 9781509006373 ; 2016-September
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • InAs nanowires (NW) grown by MOCVD with diameter d as small as 10 nm and gate-All-Around (GAA) MOSFETs with d = 12-15 nm are demonstrated. Ion = 314 μA/μm, and Ssat =68 mV/dec was achieved at Vdd = 0.5 V (Ioff = 0.1 μA/μm). Highest gm measured is 2693 μS/μm. Device performance is enabled by small diameter and optimized high-k/InAs gate stack process. Device performance tradeoffs between gm, Ron, and Imin are discussed.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-4 av 4

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy