Sökning: WFRF:(Lotsari Antiope 1981)
> Adolph David 1971 >
Effect of compositi...
Effect of compositional interlayers on the vertical electrical conductivity of Si-doped AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on SiC''
-
- Hashemi, Seyed Ehsan, 1986 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Hjort, Filip, 1991 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Stattin, Martin, 1983 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Ive, Tommy, 1968 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Bäcke, Olof, 1984 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Lotsari, Antiope, 1981 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Halvarsson, Mats, 1965 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Adolph, David, 1971 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Desmaris, Vincent, 1977 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Meledin, Denis, 1974 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Haglund, Åsa, 1976 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2017
- 2017
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Express. - 1882-0786 .- 1882-0778. ; 10:5, s. 055501-
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.7...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We have investigated the effect of strain-compensating interlayers on the vertical electrical conductivity of Si-doped AlN/GaN distributed Bragg reflectors (DBRs). Samples with 10.5 mirror pairs were grown through plasma-assisted molecular beam epitaxy on SiC. Room-temperature current–voltage characteristics were measured vertically in mesas through 8 of the 10.5 pairs. The sample with no interlayers yields a mean specific series resistance of 0.044 Ω cm2 at low current densities, while three samples with 5/5-Å-thick, 2/2-nm-thick, and graded interlayers have resistivities between 0.16 and 0.34 Ω cm2. Thus, interlayers impair vertical current transport, and they must be designed carefully when developing conductive DBRs.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Hashemi, Seyed E ...
-
Hjort, Filip, 19 ...
-
Stattin, Martin, ...
-
Ive, Tommy, 1968
-
Bäcke, Olof, 198 ...
-
Lotsari, Antiope ...
-
visa fler...
-
Halvarsson, Mats ...
-
Adolph, David, 1 ...
-
Desmaris, Vincen ...
-
Meledin, Denis, ...
-
Haglund, Åsa, 19 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Telekommunikatio ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola