SwePub
Tyck till om SwePub Sök här!
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Mårtensson Thomas) ;pers:(Larsson Marcus)"

Sökning: WFRF:(Mårtensson Thomas) > Larsson Marcus

  • Resultat 1-4 av 4
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  •  
2.
  • Thelander, Claes, et al. (författare)
  • Electrical properties of InAs-based nanowires
  • 2004
  • Ingår i: AIP Conference Proceedings. - 0094-243X .- 1551-7616. ; 723, s. 449-452
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • Semiconductor nanowires are grown using chemical beam epitaxy and metal organic vapor phase epitaxy from size-selected gold nanoparticles acting as catalysts. By changing materials during the growth it is possible to form heterostructures both along the length of the nanowires but also in a core-shell fashion. In particular, incorporation of pairs of InP tunnel barriers in InAs nanowires has been used to fabricate single-electron transistors and resonant tunneling diodes
  •  
3.
  • Thelander, Claes, et al. (författare)
  • One dimensional heterostructures and resonant tunneling in III-V nanowires
  • 2003
  • Ingår i: 2003 International Symposium on Compound Semiconductors (Cat. No.03TH8675). - 0780378202 ; , s. 151-152
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • We use a bottom-up approach to grow epitaxially nucleated semiconductor nanowires from gold particles. Heterostructure barriers of InP are introduced inside InAs nanowires to form resonant tunneling diodes and single-electron transistors
  •  
4.
  • Thelander, Claes, et al. (författare)
  • Single-electron transistors in heterostructure nanowires.
  • 2003
  • Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 83:10, s. 2052-2054
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Semiconductor-based single-electron transistors have been fabricated using heterostructure nanowire growth, by introducing a double barrier of InP into InAs nanowires. From electrical measurements, we observe a charging energy of 4 meV for the approximately 55 nm diameter and 100 nm long InAs islands between the InP barriers. The Coulomb blockade can be periodically lifted as a function of gate voltage for all devices, which is a typical signature of single-island transistors. Homogeneous InAs nanowires show no such effect for the corresponding voltage ranges. ©2003 American Institute of Physics.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-4 av 4

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy