SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Tuomisto J) ;pers:(Sadowski Janusz)"

Sökning: WFRF:(Tuomisto J) > Sadowski Janusz

  • Resultat 1-2 av 2
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Koskelo, O., et al. (författare)
  • The effect of a material growth technique on ion-implanted Mn diffusion in GaAs
  • 2009
  • Ingår i: Semiconductor Science and Technology. - : IOP Publishing. - 0268-1242 .- 1361-6641. ; 24:4
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Diffusion of ion-implanted Mn in semi-insulating (SI) and liquid encapsulated Czochralski (LEC)-grown GaAs has been determined employing the modified radiotracer technique. The effect of the growth technique and conditions on Mn diffusion in low temperature molecular beam epitaxy (LT-MBE)-grown GaAs has also been studied. Two distinct diffusion components appear in ion-implanted Mn diffusion in GaAs: slow and fast. As the diffusivity for the SI material is slightly higher than that for the LT-grown material, it is observed that the diffusivity of the fast component retards with increasing initial concentrations of Ga sublattice defects. At the same time the Mn concentration in the tail part of the diffusion profile is higher in the LT-grown material. Ga vacancy-assisted clustering of Mn is proposed as a likely reason for the observed effects.
  •  
2.
  • Tuomisto, F, et al. (författare)
  • Observation of vacancies in Ga1-xMnxAs with positron annihilation spectroscopy
  • 2003
  • Ingår i: Acta Physica Polonica. Series A: General Physics, Physics of Condensed Matter, Optics and Quantum Electronics, Atomic and Molecular Physics, Applied Physics. - 0587-4246. ; 103:6, s. 601-606
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Positron annihilation spectroscopy can be used to determine the role of vacancy defects in semiconductors, by identification and quantification of the vacancies and their chemical surroundings. We have studied 0.5-0.8 mum thick low temperature MBE GaMnAs layers with Mn content 0.5-5% and different As-2 partial pressures at growth. The Doppler broadening results show that the Ga vacancy concentration in the layers decreases with increasing Mn content and decreasing As-2 partial pressure.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-2 av 2
Typ av publikation
tidskriftsartikel (2)
Typ av innehåll
refereegranskat (2)
Författare/redaktör
Tuomisto, F. (2)
Saarinen, K. (1)
Slotte, J. (1)
Koskelo, O. (1)
Raisanen, J. (1)
Lärosäte
Lunds universitet (2)
Språk
Engelska (2)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Naturvetenskap (2)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy