↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Träfflista för sökning "WFRF:(Xiang F. Q.) ;pers:(Yang H.)"

Sökning: WFRF:(Xiang F. Q.) > Yang H.

Resultat 1-3 av 3

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Jakobsson, J., et al. (författare) Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (4th edition)1 2021 Ingår i: Autophagy. - : Informa UK Limited. - 1554-8635 .- 1554-8627. ; 17:1, s. 1-382 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
2.	Chen, A, et al. (författare) Single-cell spatial transcriptome reveals cell-type organization in the macaque cortex 2023 Ingår i: Cell. - : Elsevier BV. - 1097-4172 .- 0092-8674. ; 186:17, s. 3726- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
3.	Yin, X., et al. (författare) Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors with Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variation 2020 Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.. - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 41:1, s. 8-11 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract A new type of vertical nanowire (NW)/nanosheet (NS) field-effect transistors (FETs), termed vertical sandwich gate-all-around (GAA) FETs (VSAFETs), is presented in this work. Moreover, an integration flow that is compatible with processes used in the mainstream industry is proposed for the VSAFETs. Si/SiGe epitaxy, isotropic quasi-atomic-layer etching (qALE), and gate replacement were used to fabricate pVSAFETs for the first time. Vertical GAA FETs with self-aligned high-k metal gates and a small effective-gate-length variation were obtained. Isotropic qALE, including Si-selective etching of SiGe, was developed to control the diameter/thickness of the NW/NS channels. NWs with a diameter of 10 nm and NSs with a thickness of 20 nm were successfully fabricated, and good device characteristics were obtained. Finally, the device performance was investigated and is discussed in this work. © 2019 IEEE.

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-3 av 3

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: tidskriftsartikel (3)

Typ av innehåll: refereegranskat (3)

Författare/redaktör: Yang, H. (3)Ta bort avgränsningen; Liu, X (2); Li, Y. (2); Wang, H. (2); Wang, J. (2); Zhang, H. (2); visa fler...; Zhu, H. (2); Zhao, Y. (2); Chen, L (1); Alonso, A. (1); Chen, S. (1); Chen, X. (1); Chen, Y. (1); Donadelli, M. (1); Gupta, S. (1); Han, L. (1); Hu, D. (1); Jiang, Y. (1); Jin, S. (1); Kim, H. (1); Kono, T. (1); Li, B. (1); Li, L. (1); Li, S. (1); Liu, Y. (1); Meyer, C. (1); Mohapatra, S. (1); Nakamura, K. (1); Nilsson, P. (1); Shimizu, S. (1); Sun, X. (1); Takahashi, Y. (1); Wang, C. (1); Wang, F. (1); Wang, K. (1); Wu, M. (1); Xu, L. (1); Yamamoto, A. (1); Yan, Z. (1); Yang, Y. (1); Yu, J. (1); Zhang, L. (1); Zhang, X. (1); Zhang, Z. (1); Zhou, B. (1); Zhou, N. (1); Liu, J. (1); Lange, C. (1); Li, X. (1); Zhao, L. (1); visa färre...

Lärosäte: Karolinska Institutet (2); Umeå universitet (1); Kungliga Tekniska Högskolan (1); Stockholms universitet (1); Linköpings universitet (1); Lunds universitet (1); visa fler...; Mittuniversitetet (1); Sveriges Lantbruksuniversitet (1); visa färre...

Språk: Engelska (3)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Medicin och hälsovetenskap (2); Naturvetenskap (1)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy