SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Zheng Jie) ;srt2:(2010-2014);pers:(Deng J.)"

Sökning: WFRF:(Zheng Jie) > (2010-2014) > Deng J.

  • Resultat 1-2 av 2
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Xu, K., et al. (författare)
  • GaN nanorod light emitting diodes with suspended graphene transparent electrodes grown by rapid chemical vapor deposition
  • 2013
  • Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 103:22, s. 5-
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Ordered and dense GaN light emitting nanorods are studied with polycrystalline graphene grown by rapid chemical vapor deposition as suspended transparent electrodes. As the substitute of indium tin oxide, the graphene avoids complex processing to fill up the gaps between nanorods and subsequent surface flattening and offers high conductivity to improve the carrier injection. The as-fabricated devices have 32% improvement in light output power compared to conventional planar GaN-graphene diodes. The suspended graphene remains electrically stable up to 300 degrees C in air. The graphene can be obtained at low cost and high efficiency, indicating its high potential in future applications.
  •  
2.
  • Xu, K., et al. (författare)
  • Graphene transparent electrodes grown by rapid chemical vapor deposition with ultrathin indium tin oxide contact layers for GaN light emitting diodes
  • 2013
  • Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 102:16
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • By virtue of the small active volume around Cu catalyst, graphene is synthesized by fast chemical vapor deposition (CVD) in a cold wall vertical system. Despite being highly polycrystalline, it is as conductive and transparent as standard graphene and can be used in light emitting diodes as transparent electrodes. 7-10 nm indium tin oxide (ITO) contact layer is inserted between the graphene and p-GaN to enhance hole injection. Devices with forward voltage and transparency comparable to those using traditional 240 nm ITO are achieved with better ultraviolet performances, hinting the promising future for application-oriented graphene by rapid CVD.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-2 av 2
Typ av publikation
tidskriftsartikel (2)
Typ av innehåll
refereegranskat (2)
Författare/redaktör
Xu, C. (2)
Deng, J. (2)Ta bort avgränsningen
Sun, Jie, 1977 (2)
Zheng, L (2)
Xu, K (2)
Guo, W. L. (2)
visa fler...
Zhu, Y. X. (2)
Mao, M. M. (2)
Xie, Y. (1)
Xun, M. (1)
Chen, M. X. (1)
visa färre...
Lärosäte
Chalmers tekniska högskola (2)
Språk
Engelska (2)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Naturvetenskap (2)
År
2013 (2)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy