SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Ottosson Mikael) srt2:(2005-2009)"

Sökning: WFRF:(Ottosson Mikael) > (2005-2009)

  • Resultat 1-10 av 40
  • [1]234Nästa
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Falahati, Sorour, 1971-, et al. (författare)
  • EU FP6 IST-2003-507581 WINNER, D2.4 Assessment of adaptive transmission technologies, Feb 2005
  • 2005
  • Rapport (övrigt vetenskapligt)abstract
    • This document contains a first assessment of adaptive transmission schemes and how these fit to the different WINNER scenarios. It focuses on an adaptation due to the channel properties that may vary both in time and frequency or, with respect to the selected antennas, in an OFDM-based air interface. Besides the evaluation by analysis, link simulation and multilink simulation, first detailed designs are presented of adaptive transmission feedback systems for the WINNER FDD and TDD physical layer modes.
  •  
2.
  • Fallberg, Anna, et al. (författare)
  • CVD of Copper(I) Nitride
  • 2009
  • Ingår i: Chemical Vapor Deposition. - Weinheim : WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. - 0948-1907. ; 15:10-12, s. 300-305
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Copper(I) nitride (Cu3N) is deposited by CVD using copper(II) hexafluoroacetylacetonate (Cu(hfaC)(2)), ammonia, and water as precursors. The influences of process parameters on growth rate, phase content, chemical composition and morphology are studied. The introduction of water is found to increase film growth rate on the SiO2 substrate. Films are deposited in the temperature range 250-550 degrees C. Single-phase Cu3N is obtained up to 400 degrees C. A phase mixture Of Cu3N and Cu is obtained at 425 degrees C, while a temperature of 550 degrees C and above yields single-phase Cu. X-ray diffraction (XRD) confirms that Cu3N has the cubic, anti-ReO3-type structure; with a cell parameter in the range 3.805-3.816 angstrom. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) verifies the Cu3N stoichiometry. The films are free from impurities (below the detection limit of 1%) at a large excess of ammonia. Scanning electron microscopy (SEM) shows facetted grains, with the faces becoming more well-defined at higher temperatures.
  •  
3.
  •  
4.
  •  
5.
  • Intarasiri, Saweat, et al. (författare)
  • Effects of low-fluence swift iodine ion bombardment on the crystallization of ion-beam-synthesized silicon carbide
  • 2007
  • Ingår i: Journal of Applied Physics. - 0021-8979. ; 101:8, s. 084311
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Ion beam synthesis using high-fluence carbon ion implantation in silicon in combination with subsequent or in situ thermal annealing has been shown to be able to form nanocrystalline cubic SiC (3C-SiC) layers in silicon. In this study, a silicon carbide layer was synthesized by 40-keV C 12 + implantation of a p -type (100) Si wafer at a fluence of 6.5× 1017 ions cm2 at an elevated temperature. The existence of the implanted carbon in Si substrate was investigated by time-of-flight energy elastic recoil detection analysis. The SiC layer was subsequently irradiated by 10-30 MeV I 127 ions to a very low fluence of 1012 ions cm2 at temperatures from 80 to 800 °C to study the effect on the crystallization of the SiC layer. Infrared spectroscopy and Raman scattering measurement were used to monitor the formation of SiC and detailed information about the SiC film properties was obtained by analyzing the peak shape of the Si-C stretching mode absorption. The change in crystallinity of the synthesized layer was probed by glancing incidence x-ray diffraction measurement and transmission electron microscopy was also used to confirm the results and to model the crystallization process. The results from all these measurements showed in a coherent way that the synthesized structure was a polycrystalline layer with nanometer sized SiC crystals buried in a-Si matrix. The crystallinity of the SiC layer was enhanced by the low-fluence swift heavy ion bombardment and also favored by higher energy, higher fluence, and higher substrate temperature. It is suggested that electronic stopping plays a dominant role in the enhancement.
  •  
6.
  • Jönsson, Johanna, 1981-, et al. (författare)
  • Överskottsvärme från kemiska massabruk - En socioteknisk analys av interna och externa användningspotentialer
  • 2007
  • Rapport (övrigt vetenskapligt)abstract
    • I rapporten beskrivs och analyseras utifrån ett sociotekniskt perspektiv möjligheter och begränsningar för utnyttjande av överskottsvärme vid kemiska avsalubruk. Både internt och externt utnyttjande av värmet studeras. Särskilt fokuseras på relationer samt eventuella konflikter, både rent teknisk/ekonomiska och samhälleliga, mellan olika interna och externa användningsområden. Projektet, och därmed även rapporten, antar med dess breda frågeställningar formen av en förstudie inför kommande forskningsprojekt. Mer konkret ställs forskningsfrågor som: Vilka sociotekniska förutsättningar styr avvägningen mellan internt utnyttjande och externt utnyttjande, i form av fjärrvärme, av industriellt överskottsvärme vid kemiska avsalubruk och hur påverkar befintliga politiska styrmedel dessa förutsättningar? Vilka hinder och drivkrafter existerar för utnyttjande av industriellt överskottsvärme från kemiska avsalubruk? Hur påverkas möjligheter och begränsningar för utnyttjande av industriellt överskottsvärme av olika systemsyn och systemavgränsningar? På vilket sätt inkluderas nyttjande av industriellt överskottsvärme i de olika företagens strategier? Rapporten består i huvudsak av tre delar. I de första kapitlen presenteras forskningsproblemet samt tidigare forskning på området. I kapitel 5 presenteras resultaten från den tekniska studien och i kapitel 6 analyseras dessa resultat tillsammans med resultaten från 5 intervjuer som genomförts med nyckelpersoner vid energibolag samt kemiska massabruk. Studiens resultat pekar bland annat på att det finns, enligt den tekniska studien, en viss konkurrens om överskottsvärmet när det har en relativt hög temperatur eftersom det då kan användas även internt i bruket. I intervjuerna framkommer dock att varken industrin eller energibolagen upplever någon konflikt eller konkurrens om värmet. De hinder för externt nyttjande av överskottsvärme i form av fjärrvärme som har identifierats är både av social och av ekonomisk karaktär. Hinder av teknisk/ekonomisk karaktär är bland annat vilka anläggningar som redan finns (eller planeras) i systemet, och som därmed konkurrerar med överskottsvärmet om att nyttjas för produktion av fjärrvärme, elcertifikatsystemet, risken för driftsstörningar i industrin med påföljande leveransavbrott samt det fysiska avståndet mellan industrin och fjärrvärmenätet. Vidare framkommer att i en kommun där det finns avfallsbaserad värmeproduktion blir det inte vare sig ur ett helhetsperspektiv eller sett enbart från energibolagets håll lönsamt att köpa in överskottvärme från massabruket. På samma sätt gynnar inte ett energisystem baserat på elcertifikatberättigad biobränslekraftvärme externt nyttjande av överskottsvärme. Genom att dra systemgränsen kring enbart sitt eget system finns det, förutom en risk för suboptimeringar, en risk för att tekniskt, ekonomiskt och miljömässigt hållbara lösningar blir förbisedda. När en region står inför nyinvesteringar i energisystemet är det viktigt att överväga alla de möjligheter som finns. Vid intervjuerna framkom dessutom att energifrågans status hos bruken har ökat kraftigt i takt med att priserna på el och bränslen har stigit. Bruken tror även att den rådande situationen kommer att vara mer eller mindre bestående och de måste därför utveckla ett -energiben- att stå på, för att även i framtiden kunna vara lönsamma och konkurrenskraftiga på den internationella marknaden.
  •  
7.
  • Lindahl, Erik, et al. (författare)
  • Atomic Layer Deposition of NiO by the Ni(thd)2/H2O Precursor Combination
  • 2009
  • Ingår i: Chemical Vapor Deposition. - WILEY. - 0948-1907. ; 15:7-9, s. 186-191
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Polycrystalline nickel oxide is deposited on SiO2 substrates by   alternating pulses of   bis(2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dionato)nickel(II) (Ni(thd)(2)) and   H2O. The deposition process shows atomic layer deposition (ALD)   characteristics with respect to the saturation behavior of the two   precursors at deposition temperatures up to 275 degrees C. The growth   of nickel oxide is shown to be highly dependent on surface hydroxide   groups, and a large excess of H2O is required to achieve saturation.   Throughout the deposition temperature range the amount of carbon in the   film, originating from the metal precursor ligand, is in the range   1-2%. Above 275 degrees C ALD growth behavior is lost in favor of   thermal decomposition of the metal precursor. The initial nucleation   process is studied by atomic force microscopy (AFM) and reveals   nucleation of well-separated grains which coalesce to a continuous film   after about 250 ALD cycles.
  •  
8.
  •  
9.
  • Lindahl, Erik, 1979-, et al. (författare)
  • Epitaxial NiO(100) and NiO(111) films grown by atomic layer deposition
  • 2009
  • Ingår i: Journal of Crystal Growth. - Elsevier. - 0022-0248. ; 311:16, s. 4082-4088
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Epitaxial NiO (1 1 1) and NiO (1 0 0) films have been grown by atomic   layer deposition on both MgO (1 0 0) and alpha-Al2O3 (0 0 1) substrates   at temperatures as low as 200 degrees C by using   bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)Ni(II) and water as   precursors. The films grown on the MgO (1 0 0) substrate show the   expected cube on cube growth while the NiO (1 1 1) films grow with a   twin rotated 180 degrees on the alpha-Al2O3 (0 0 1) substrate surface.   The films had columnar microstructures on both substrate types. The   single grains were running throughout the whole film thickness and were   significantly smaller in the direction parallel to the surface. Thin   NiO (1 1 1) films can be grown with high crystal quality with a FWHM of   0.02-0.05 degrees in the rocking curve measurements.
  •  
10.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-10 av 40
  • [1]234Nästa
Åtkomst
fritt online (3)
Typ av publikation
tidskriftsartikel (21)
konferensbidrag (11)
bokkapitel (3)
rapport (3)
forskningsöversikt (1)
proceedings (redaktörskap) (1)
visa fler...
visa färre...
Typ av innehåll
refereegranskat (28)
övrigt vetenskapligt (11)
populärvet., debatt m.m. (1)
Författare/redaktör
Ottosson, Mikael (31)
Carlsson, Jan-Otto, (8)
Rosengren, Calle (8)
Westin, Gunnar (7)
Pohl, Annika, (5)
Lu, Jun, (4)
visa fler...
Svensson, Tommy, 197 ... (3)
Ottosson, Tony, 1969 ... (3)
Jansson, Kjell, (3)
Sternad, Mikael, 195 ... (3)
Törndahl, Tobias, (3)
Engqvist, Håkan, (2)
Ahlén, Anders, (2)
Sternad, Mikael, (2)
Svensson, Arne, 1955 ... (2)
Brunström, Anna (2)
Jönsson, Johanna, 19 ... (2)
Svensson, Tommy, (2)
Lindahl, Erik, (2)
Lundberg, Victor (2)
Ottosson, Mikael, 19 ... (2)
Thollander, Patrik, ... (2)
Lööf, Jesper, (2)
Hermansson, Leif (2)
Faris, Adam (2)
Love, Peter (2)
Svensson, Inger-Lise ... (2)
Ottosson, Tony (2)
Sörensen, Thomas (2)
Kimber, Julie (2)
Annika, Pohl, (2)
Hårsta, Anders, (1)
Possnert, Göran, (1)
Hallén, Anders., (1)
Grishin, Alexander, (1)
Khartsev, Sergiy, (1)
Eriksson, Thomas, 19 ... (1)
Jansson, K. (1)
Jensen, Jens, (1)
Aili, Carola, (1)
Palm, Jenny, 1973-, (1)
Landström, Lars, (1)
Heszler, Peter, (1)
Moshfegh, Bahram, (1)
Svensson, Arne (1)
Larsson, Karin, (1)
Wihlborg, Elin, 1970 ... (1)
Anshelm, Jonas, (1)
Aronsson, Daniel, (1)
Maurits, Alexander (1)
visa färre...
Lärosäte
Uppsala universitet (21)
Malmö högskola (7)
Kungliga Tekniska Högskolan (6)
Linköpings universitet (5)
Chalmers tekniska högskola (4)
Karlstads universitet (3)
visa fler...
Högskolan Kristianstad (2)
Stockholms universitet (1)
Lunds universitet (1)
visa färre...
Språk
Engelska (33)
Svenska (7)
Ämne (HSV)
Teknik (3)
Naturvetenskap (1)
Samhällsvetenskap (1)

År

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy