SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Kim Tae Hwan)
 

Sökning: WFRF:(Kim Tae Hwan) > (2013) > Valley spin polariz...

Valley spin polarization by using the extraordinary Rashba effect on silicon

Sakamoto, Kazuyuki (författare)
Chiba University, Japan
Kim, Tae-Hwan (författare)
Pohang University of Science and Technology, South Korea
Kuzumaki, Takuya (författare)
Chiba University, Japan
visa fler...
Mueller, Beate (författare)
Chiba University, Japan
Yamamoto, Yuta (författare)
Chiba University, Japan
Ohtaka, Minoru (författare)
Chiba University, Japan
Osiecki, Jacek (författare)
Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan
Miyamoto, Koji (författare)
Hiroshima University, Japan
Takeichi, Yasuo (författare)
University of Tokyo, Japan
Harasawa, Ayumi (författare)
University of Tokyo, Japan
Stolwijk, Sebastian D. (författare)
University of Munster, Germany
Schmidt, Anke B. (författare)
University of Munster, Germany
Fujii, Jun (författare)
CNRS, Italy
Uhrberg, Roger (författare)
Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan
Donath, Markus (författare)
University of Munster, Germany
Woong Yeom, Han (författare)
Pohang University of Science and Technology, South Korea
Oda, Tatsuki (författare)
Kanazawa University, Japan
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2013-06-28
2013
Engelska.
Ingår i: Nature Communications. - : Nature Publishing Group: Nature Communications. - 2041-1723. ; 4:2073
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The addition of the valley degree of freedom to a two-dimensional spin-polarized electronic system provides the opportunity to multiply the functionality of next-generation devices. So far, however, such devices have not been realized due to the difficulty to polarize the valleys, which is an indispensable step to activate this degree of freedom. Here we show the formation of 100% spin-polarized valleys by a simple and easy way using the Rashba effect on a system with C-3 symmetry. This polarization, which is much higher than those in ordinary Rashba systems, results in the valleys acting as filters that can suppress the backscattering of spin-charge. The present system is formed on a silicon substrate, and therefore opens a new avenue towards the realization of silicon spintronic devices with high efficiency.

Nyckelord

TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy