SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:his-5188"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:his-5188" > Thermal diffusion o...

Thermal diffusion of Mn through GaAs overlayers on (Ga, Mn)As

Adell, Johan, 1980 (författare)
Chalmers University of Technology,Department of Applied Physics, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden
Ulfat, Intikhab, 1966 (författare)
Department of Applied Physics, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden / Department of Physics, University of Karachi, Karachi, Pakistan,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Ilver, Lars, 1949 (författare)
Department of Applied Physics, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa fler...
Sadowski, Janusz (författare)
Lund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory,Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland / MAX-lab, Lund University, Lund, Sweden
Karlsson, Krister (författare)
Högskolan i Skövde,Institutionen för vård och natur,Forskningscentrum för Virtuella system,Fysik och matematik, Physics and Mathematics,University of Skövde
Kanski, Janusz, 1946 (författare)
Department of Applied Physics, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2011-02-03
2011
Engelska.
Ingår i: Journal of Physics. - : Institute of Physics Publishing (IOPP). - 0953-8984 .- 1361-648X. ; 23:8
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Thermally stimulated diffusion of Mn through thin layers of GaAs has been studied by x-ray photoemission. (Ga, Mn)As samples with 5 at% Mn were capped with 4, 6 and 8 monolayer (ML) GaAs, and Mn diffusing through the GaAs was trapped on the surface by means of amorphous As. It was found that the out-diffusion is completely suppressed for an 8 ML thick GaAs film. The short diffusion length is attributed to an electrostatic barrier formed at the (Ga, Mn)As/GaAs interface.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Materialteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Materials Engineering (hsv//eng)

Nyckelord

Natural sciences
Naturvetenskap
Fysik och matematik
Physics and Mathematics

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy