Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-106127" >
Enhanced tunneling ...
Enhanced tunneling in the GaAs p(+)-n(+) junction by embedding InAs quantum dots
-
Wang, Lijuan (författare)
-
He, Jifang (författare)
-
- Shang, Xiangjun (författare)
- KTH,Teoretisk kemi och biologi
-
visa fler...
-
Li, Mifeng (författare)
-
Yu, Ying (författare)
-
Zha, Guowei (författare)
-
Ni, Haiqiao (författare)
-
Niu, Zhichuan (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2012-09-26
- 2012
- Engelska.
-
Ingår i: Semiconductor Science and Technology. - : IOP Publishing. - 0268-1242 .- 1361-6641. ; 27:11, s. 115010-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- GaAs p(+)-n(+) junctions with and without a layer of InAs quantum dots (QDs) embedded at the interface are discussed in this article. The current density versus voltage (I-V) characteristics show that the junctions without QDs are weak degenerate due to the Beryllium(Be) atoms diffusion of nominal p(++)-GaAs; the junctions with QDs generate enhanced tunneling current at forward bias, because the QDs layer reduces the Be diffusion and enables a two-step tunneling process. At room temperature, the current density of the sample with QDs is enhanced to 122 A cm(-2) at a forward bias of +0.32 V, which is about 2 orders of magnitude higher than the reference sample without QDs.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Bipolar Cascade Lasers
- Grown-Gaas
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas