Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-146921" >
Radiation silicon c...
Radiation silicon carbide detectors based on ion implantation of boron
-
Issa, F. (författare)
-
Ottaviani, L. (författare)
-
Vervisch, V. (författare)
-
visa fler...
-
Szalkai, D. (författare)
-
Vermeeren, L. (författare)
-
Lyoussi, A. (författare)
-
Kuznetsov, A. (författare)
-
Lazar, M. (författare)
-
Klix, A. (författare)
-
Palais, O. (författare)
-
- Hallén, Anders (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- IEEE, 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: 2013 3rd International Conference on Advancements in Nuclear Instrumentation, Measurement Methods and Their Applications, ANIMMA 2013. - : IEEE. - 9781479910472 ; , s. 6727997-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Radiation detectors based on radiation-hardened semiconductor such as silicon carbide (SiC), have received considerable attention in many applications such as in outer space, high energy physics experiments, gas and oil prospection, and nuclear reactors. For the first time it was demonstrated the reliability of thermal neutron detectors realized by standard ion implantation of boron layer as a neutron converter layer. Moreover, these detectors respond to thermal neutrons and gamma rays showing different counting rates at different voltages and under different types of shielding.
Nyckelord
- diode
- pn junction
- silicon carbide
- space charge region
- thermal neutrons
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Issa, F.
-
Ottaviani, L.
-
Vervisch, V.
-
Szalkai, D.
-
Vermeeren, L.
-
Lyoussi, A.
-
visa fler...
-
Kuznetsov, A.
-
Lazar, M.
-
Klix, A.
-
Palais, O.
-
Hallén, Anders
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
2013 3rd Interna ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan