Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-16033" >
Strong valence-band...
Strong valence-band offset bowing of ZnO1-xSx enhances p-type nitrogen doping of ZnO-like alloys
-
- Persson, Clas (författare)
- KTH,Tillämpad materialfysik
-
- Platzer-Björkman, Charlotte (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Malmstrom, Jonas (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
visa fler...
-
- Törndahl, Tobias (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Edoff, Marika (författare)
- Uppsala universitet,Elektronik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review Letters. - 0031-9007 .- 1079-7114. ; 97:14
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Photoelectron spectroscopy, optical characterization, and density functional calculations of ZnO1-xSx reveal that the valence-band (VB) offset E-v(x) increases strongly for small S content, whereas the conduction-band edge E-c(x) increases only weakly. This is explained as the formation of local ZnS-like bonds in the ZnO host, which mainly affects the VB edge and thereby narrows the energy gap: E-g(x=0.28)approximate to E-g(ZnO)-0.6 eV. The low-energy absorption tail is a direct Gamma(v)->Gamma(c) transition from ZnS-like VB. The VB bowing can be utilized to enhance p-type N-O doping with lower formation energy Delta H-f and shallower acceptor state in the ZnO-like alloys.
Nyckelord
- deposition
- semiconductors
- gaasn
- film
- TECHNOLOGY
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas