SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-16245"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-16245" > Electrical resistiv...

Electrical resistivity and metal-nonmetal transition in n-type doped 4H-SiC

da Silva, Antonio Ferreira (författare)
Ferreira Da Silva, A., Instituto de Fisica, Universidade Federal da Bahia, Campus Ondina, 40210-340 Salvador, BA, Brazil
Pernot, Julien (författare)
Laboratoire d'Etudes des Propriétés Electroniques des Solides (CNRS), 25 avenue des Martyrs, 38042 Grenoble Cedex 9, France, Université Joseph Fourier, BP 53, 38041 Grenoble Cedex 9, France
Contreras, Sylvie (författare)
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, UM2-CNRS (UMR 5650), cc074, 34095 Montpellier, Cedex 5, France
visa fler...
Sernelius, Bo (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Teoretisk Fysik
Persson, Clas (författare)
KTH,Tillämpad materialfysik,Department of Materials Science and Engineering, Royal Institute of Technology, SE-100 44 Stockholm, Sweden
Camassel, Jean (författare)
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, UM2-CNRS (UMR 5650), cc074, 34095 Montpellier, Cedex 5, France
visa färre...
Ferreira Da Silva, A, Instituto de Fisica, Universidade Federal da Bahia, Campus Ondina, 40210-340 Salvador, BA, Brazil Laboratoire d'Etudes des Propriétés Electroniques des Solides (CNRS), 25 avenue des Martyrs, 38042 Grenoble Cedex 9, France, Université Joseph Fourier, BP 53, 38041 Grenoble Cedex 9, France (creator_code:org_t)
2006
2006
Engelska.
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121 .- 1550-235X. ; 74:24
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The electrical resistivity of 4H-SiC doped with nitrogen is analyzed in the temperature range 10-700 K for nitrogen concentrations between 3.5x10(15) and 5x10(19) cm(-3). For the highest doped samples, a good agreement is found between the experimental resistivity and the values calculated from a generalized Drude approach at similar dopant concentration and temperature. From these results, the critical concentration (N-c) of nitrogen impurities which corresponds to the metal-nonmetal transition in 4H-SiC is deduced. We find N-c similar to 10(19) cm(-3).

Nyckelord

semiconductors
4h
conductivity
absorption
transport
carbide
TECHNOLOGY

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy