Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-167561" >
Carrier lifetimes a...
Carrier lifetimes and influence of in-grown defects in N-B Co-doped 6H-SiC
-
- Grivickas, V. (författare)
- Institute of Applied Research, Vilnius University, Lithuania
-
- Gulbinas, K. (författare)
- Institute of Applied Research, Vilnius University, Lithuania
-
- Jokubavicius, Valdas (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Sun, Jianwu (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Karalinas, M. (författare)
- Institute of Applied Research, Vilnius University, Lithuania
-
- Kamiyama, S. (författare)
- Meijo University, Nagoya, Japan
-
- Linnarsson, Margareta (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar,School of Information and Communication Technology, Royal Institute of Technology, Kista-Stockholm, Sweden
-
- Kaiser, M. (författare)
- University of Erlangen-Nuremberg, Germany
-
- Wellmann, P. (författare)
- University of Erlangen-Nuremberg, Germany
-
- Syväjärvi, Mikael (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Institute of Physics Publishing (IOPP), 2014
- 2014
- Engelska.
-
Ingår i: IOP Conference Series. - : Institute of Physics Publishing (IOPP). ; 56:1, s. 012004-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The thick N-B co-doped epilayers were grown by the fast sublimation growth method and the depth-resolved carrier lifetimes have been investigated by means of the free-carrier absorption (FCA) decay under perpendicular probe-pump measurement geometry. In some samples, we optically reveal in-grown carbon inclusions and polycrystalline defects of substantial concentration and show that these defects slow down excess carrier lifetime and prevent donor-acceptor pair photo luminescence (DAP PL). A pronounced electron lifetime reduction when injection level approaches the doping level was observed. It is caused by diffusion driven non-radiative recombination. However, the influence of surface recombination is small and insignificant at 300 K.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- Energy gap
- Light emission
- Silicon carbide
- Solar cells
- Diffusion driven
- Donor-acceptor pairs
- Electron lifetime
- Free carrier absorption
- Measurement geometry
- Non-radiative recombinations
- Sublimation growth
- Surface recombinations
- Carrier lifetime
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Grivickas, V.
-
Gulbinas, K.
-
Jokubavicius, Va ...
-
Sun, Jianwu
-
Karalinas, M.
-
Kamiyama, S.
-
visa fler...
-
Linnarsson, Marg ...
-
Kaiser, M.
-
Wellmann, P.
-
Syväjärvi, Mikae ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
- Artiklar i publikationen
- IOP Conference S ...
-
IOP Conference S ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan
-
Linköpings universitet