Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-20001" >
Electrical characte...
Electrical characterization of TiC ohmic contacts to aluminum ion implanted 4H-silicon carbide
-
Lee, S. K. (författare)
-
- Zetterling, Carl-Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
Danielsson, E. (författare)
-
visa fler...
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
Palmquist, J. P. (författare)
-
Hogberg, H. (författare)
-
Jansson, U. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2000
- 2000
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 77:10, s. 1478-1480
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We report on the investigation of epitaxial TiC ohmic contacts to Al ion implanted 4H-SiC. TiC ohmic contacts were formed by coevaporation of Ti and C-60 at low temperature (< 500 degrees C). A sacrificial silicon nitride (Si3N4) layer was deposited on the silicon carbide substrate prior to Al implantation in order to reach a high Al dopant concentration at the surface while maintaining a low dose. The combination of epitaxially grown TiC and the silicon nitride layer resulted in a promising scheme to make low resistivity ohmic contacts. The lowest contact resistivity (rho(C)) and sheet resistance (R-s) of the implanted layer at 25 degrees C were as low as 2 x 10(-5) Ohm cm(2) and 0.6 k Ohm/square, respectively.
Nyckelord
- titanium
- devices
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas