Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-20800" >
Studies on rutheniu...
Studies on ruthenium-doped InP growth by low-pressure hydride vapor-phase epitaxy
-
Soderstrom, D. (författare)
-
- Lourdudoss, Sebastian (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
Wallnas, M. (författare)
-
visa fler...
-
Dadgar, A. (författare)
-
Stenzel, O. (författare)
-
Bimberg, D. (författare)
-
Schumann, H. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- The Electrochemical Society, 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of the Electrochemical Society. - : The Electrochemical Society. - 0013-4651 .- 1945-7111. ; 148:7, s. G375-G378
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Ruthenium-doped InP (InP:Ru) has been grown by low-pressure hydride vapor-phase epitaxy (LP-HVPE) using bis(eta (5)-2,4-dimethylpentadienyl)ruthenium(II) as precursor. Ruthenium concentrations in the range 2 x 10(15) to 2 x 10(18) cm(-3) have been achieved. The Ru incorporation has been studied in terms of incorporation flux, and it is shown that the growth rate limits: the incorporation rate. From current-voltage measurements on n-InP/InP:Ru/n-InP and p-InP/InP:Ru/p-InP structures, resistivities greater than 10(3) Omega cm and greater than 10(10) Omega cm have been obtained, respectively.
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas