Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-21829" >
Reduction of the Sc...
Reduction of the Schottky barrier height on silicon carbide using Au nano-particles
-
Lee, S. K. (författare)
-
- Zetterling, Carl-Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
visa fler...
-
Aberg, I. (författare)
-
- Magnusson, Martin (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Deppert, Knut (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Wernersson, Lars-Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
-
- Samuelson, Lars (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
Litwin, A. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Solid-State Electronics. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 46:9, s. 1433-1440
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- By the incorporation of size-selected Au nano-particles in Ti Schottky contacts on silicon carbide, we could observe considerably lower the barrier height of the contacts. This result could be obtained for both n- and p-type Schottky contacts using current-voltage and capacitance voltage measurements. For n-type Schottky contacts, we observed reductions of 0.19-0.25 eV on 4H-SiC and 0.15-0.17 eV on 6H-SiC as compared with particle-free Ti Schottky contacts. For p-type SiC, the reduction was a little lower with 0.02-0.05 eV on 4H- and 0.10-0.13 eV on 6H-SiC. The reduction of the Schottky barrier height is explained using a model with enhanced electric field at the interface due to the small size of the circular patch and the large difference of the barrier height between Ti and Au.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- nano-particles
- Schottky barrier height
- silicon carbide
- image force lowering
- electron-transport
- contacts
- devices
- image force
- silicon carbide
- nano-particles
- Schottky barrier height
- lowering
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas