Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-22542" >
A novel strained Si...
A novel strained Si0.7Ge0.3 surface-channel pMOSFET with an ALD TiN/Al2O3/HfAlOx/Al2O3 gate stack
-
Wu, D. (författare)
-
Lindgren, A. C. (författare)
-
Persson, S. (författare)
-
visa fler...
-
Sjoblom, G. (författare)
-
von Haartman, M. (författare)
-
Seger, J. (författare)
-
- Hellström, Per-Erik (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
Olsson, J. (författare)
-
Blom, H. O. (författare)
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
Vainonen-Ahlgren, E. (författare)
-
Li, W. M. (författare)
-
Tois, E. (författare)
-
Tuominen, A. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2003
- 2003
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 24:3, s. 171-173
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Proof-of-concept pMOSFETs with a strained-Si0.7Ge0.3 surface-channel deposited by selective epitaxy and a TiN/Al2O3/HfAIO(x)/Al2O3 gate stack grown by atomic layer chemical vapor deposition (ALD) techniques were fabricated. The Si0.7Ge0.3 pMOSFETs exhibited more than 30% higher current drive and peak transconductance than reference Si pMOSFETs with the same gate stack. The effective mobility for the Si reference coincided with the universal hole mobility curve for Si. The presence of a relatively low density of interface states, determined as 3.3x10(11) cm(-2) eV(-1), yielded a subthreshold slope of 75 mV/dec. for the Si reference. For the Si0.7Ge0.3 pMOSFETs, these values were 1.6x10(12) cm(-2) eV(-1) and 110 mV/dec., respectively.
Nyckelord
- atomic layer chemical vapor deposition (ALD)
- high-kappa
- metal gate
- MOSFET
- SiGe
- surface-channel
- sige
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Wu, D.
-
Lindgren, A. C.
-
Persson, S.
-
Sjoblom, G.
-
von Haartman, M.
-
Seger, J.
-
visa fler...
-
Hellström, Per-E ...
-
Olsson, J.
-
Blom, H. O.
-
Zhang, Shi-Li
-
Östling, Mikael
-
Vainonen-Ahlgren ...
-
Li, W. M.
-
Tois, E.
-
Tuominen, A.
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
IEEE Electron De ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan