Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-231645" >
Germanium on Insula...
Germanium on Insulator Fabrication for Monolithic 3-D Integration
-
- Abedin, Ahmad (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
- Zurauskaite, Laura (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
- Asadollahi, Ali (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
visa fler...
-
- Garidis, Konstantinos (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
- Jayakumar, Ganesh (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
- Malm, B. Gunnar, 1972- (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
- Hellström, Per-Erik, 1970- (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 2018
- 2018
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Journal of the Electron Devices Society. - : IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC. - 2168-6734. ; 6:1, s. 588-593
- Relaterad länk:
-
https://kth.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A low temperature (T-max = 350 degrees C) process for Germanium (Ge) on insulator (GOI) substrate fabrication with thicknesses of less than 25 nm is reported in this paper. The process is based on a single step epitaxial growth of a Ge/SiGe/Ge stack on Si, room temperature wafer bonding and an etch-back process using Si0.5Ge0.5 as an etch-stop layer. GOI substrates with surface roughness below 0.5 nm, 0.15% tensile strain, thickness nonuniformity of less than 3 nm and residual p-type doping of less than 1016 cm(-3) were fabricated. Ge pFETs are fabricated (T-max = 600 degrees C) on the GOI wafer with 70% yield. The devices exhibit a negative threshold voltage of -0.18 V and 60% higher mobility than the SOI pFET reference devices.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Kemi -- Materialkemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences -- Materials Chemistry (hsv//eng)
Nyckelord
- GOI
- wafer bonding
- selective etching
- GOI MOSFET
- 3D integration
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas