Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-236375" >
4H-SiC pMOSFETs wit...
4H-SiC pMOSFETs with al-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts
-
- Kajihara, J. (författare)
- Japan
-
- Kuroki, S. -I (författare)
- Japan
-
- Ishikawa, S. (författare)
- Japan
-
visa fler...
-
- Maeda, T. (författare)
- Japan
-
- Sezaki, H. (författare)
- japan
-
- Makino, T. (författare)
- Japan
-
- Ohshima, T. (författare)
- japan
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS)
-
- Zetterling, Carl-Mikael, 1966- (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications, 2018
- 2018
- Engelska.
-
Ingår i: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017. - : Trans Tech Publications. - 9783035711455 ; , s. 423-427
- Relaterad länk:
-
https://www.mrs.org/...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- 4H-SiC pMOSFETs with Al-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts were demonstrated and were characterized at up to a temperature of 200°C. For the pMOSFETs, silicides on p-type 4H-SiC with Nb/Ni stack, Nb-Ni Alloy, Ni and Nb/Ti were investigated, and the Nb/Ni stack silicide with the contact resistance of 5.04×10-3 Ωcm2 were applied for the pMOSFETs.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- 4H-SiC
- Harsh environment electronics
- Nickel
- Niobium
- Ohmic contact
- pMOSFET
- Binary alloys
- Electric contactors
- MOSFET devices
- Nickel alloys
- Niobium alloys
- Ohmic contacts
- Silicides
- Titanium alloys
- Al doped
- Harsh environment
- Ni alloys
- p-MOSFETs
- P-type 4H-SiC
- Silicon carbide
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas