Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-247834" >
Optical and interfa...
Optical and interface properties of direct InP/Si heterojunction formed by corrugated epitaxial lateral overgrowth
-
- Omanakuttan, Giriprasanth (författare)
- KTH,Fotonik,Royal Inst Technol KTH, Dept Appl Phys, Lab Semicond Mat, Electrum 229, S-16440 Kista, Sweden
-
- Martinez Sacristan, Oscar (författare)
- Univ Valladolid, Dept Fis Mat Condensada, GdS Optronlab Grp, Edificio LUCIA,Paseo Belen 19, Valladolid 47011, Spain.
-
- Marcinkevičius, Saulius (författare)
- KTH,Fotonik,Royal Inst Technol KTH, Dept Appl Phys, Unit Opt & Photon, Electrum 229, S-16440 Kista, Sweden
-
visa fler...
-
- UŽdavinys, Tomas Kristijonas (författare)
- KTH,Fotonik,Royal Inst Technol KTH, Dept Appl Phys, Unit Opt & Photon, Electrum 229, S-16440 Kista, Sweden
-
- Jimenez, Juan (författare)
- Univ Valladolid, Dept Fis Mat Condensada, GdS Optronlab Grp, Edificio LUCIA,Paseo Belen 19, Valladolid 47011, Spain.
-
- Ali, Hasan, 1985- (författare)
- Uppsala universitet,Tillämpad materialvetenskap
-
- Leifer, Klaus, 1965- (författare)
- Uppsala universitet,Tillämpad materialvetenskap
-
- Lourdudoss, Sebastian, 1953- (författare)
- KTH,Fotonik,Royal Inst Technol KTH, Dept Appl Phys, Lab Semicond Mat, Electrum 229, S-16440 Kista, Sweden
-
- Sun, Yan-Ting (författare)
- KTH,Fotonik,Royal Inst Technol KTH, Dept Appl Phys, Lab Semicond Mat, Electrum 229, S-16440 Kista, Sweden
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- OPTICAL SOC AMER, 2019
- 2019
- Engelska.
-
Ingår i: Optical Materials Express. - : OPTICAL SOC AMER. - 2159-3930 .- 2159-3930. ; 9:3, s. 1488-1500
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.1...
-
visa fler...
-
https://uu.diva-port... (primary) (Raw object)
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We fabricate and study direct InP/Si heterojunction by corrugated epitaxial lateral overgrowth (CELOG). The crystalline quality and depth-dependent charge carrier dynamics of InP/Si heterojunction are assessed by characterizing the cross-section of grown layer by low-temperature cathodoluminescence, time-resolved photoluminescence and transmission electron microscopy. Compared to the defective seed InP layer on Si, higher intensity band edge emission in cathodoluminescence spectra and enhanced carrier lifetime of InP are observed above the CELOG InP/Si interface despite large lattice mismatch, which are attributed to the reduced threading dislocation density realized by the CELOG method. (C) 2019 Optical Society of America under the terms of the OSA Open Access Publishing Agreement
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Omanakuttan, Gir ...
-
Martinez Sacrist ...
-
Marcinkevičius, ...
-
UŽdavinys, Tomas ...
-
Jimenez, Juan
-
Ali, Hasan, 1985 ...
-
visa fler...
-
Leifer, Klaus, 1 ...
-
Lourdudoss, Seba ...
-
Sun, Yan-Ting
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Optical Material ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan
-
Uppsala universitet