Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-45387" >
Determination of ni...
Determination of nitrogen in silicon carbide by secondary ion mass spectrometry
-
Ber, B. Y. (författare)
-
Kazantsev, D. Y. (författare)
-
Kalinina, E. V. (författare)
-
visa fler...
-
Kovarskii, A. P. (författare)
-
Kossov, V. G. (författare)
-
- Hallén, Anders (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
Yafaev, R. R. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2004
- 2004
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Analytical Chemistry. - 1061-9348 .- 1608-3199. ; 59:3, s. 250-254
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The emission of atomic and complex nitrogen ions, which are the main impurity determining the n type conduction of silicon carbide, is investigated. It is shown that, among all the secondary ions of the CxN and SixN kind (x = 0, 1, 2, 3), the (26)(CN)(-) fragment exhibits the highest ion yield. The use of an ion peak with a specified mass as an analytical signal provides a detection limit for nitrogen in SiC at a level of 10(16) cm(-3). This result is attained in measurements at high mass resolution (M/DeltaM = 7500, interference peak (26)(C-13(2))(-)).
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Kemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas