Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-7510" >
Leakage current red...
Leakage current reduction in 80 nm biaxially strained Si nMOSFETs on in-situ doped SiGe virtual substrates
-
- Hållstedt, Julius (författare)
- KTH,VinnExcellence Center for Intelligence in Paper and Packaging, iPACK
-
- Malm, B. Gunnar (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Hellström, Per-Erik (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa fler...
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Oehme, M. (författare)
- Institut für Halbleitertechnik Universität, Stuttgart, Germany
-
- Werner, J. (författare)
- Institut für Halbleitertechnik Universität, Stuttgart, Germany
-
- Lyutovich, K. (författare)
- Institut für Halbleitertechnik Universität, Stuttgart, Germany
-
- Kasper, E. (författare)
- Institut für Halbleitertechnik Universität, Stuttgart, Germany
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: ESSDERC 2007 - Proceedings of the 37th European Solid-State Device Research Conference 2008. - 9781424411238 ; , s. 319-322
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We present a comprehensive study of biaxially strained (up to similar to 3 GPa stress) Si nMOSFETs down to 80 nm gatelength. Well behaved 80 nm devices with expected strain-induced electrical enhancement were demonstrated. Special emphasis was put on investigation of substrate junction leakage and source to drain leakage. In-situ doped wells and channel profiles demonstrated superior substrate junction leakage for the relaxed SiGe substrates compared to conventional implantation. The source to drain leakage in 80 nm devices was effectively reduced by increment of channel doping and rotation of the channel direction.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Drain current; Leakage currents; Semiconducting silicon; Semiconductor doping; Substrates; Channel doping; Drain leakage; Substrate junction leakage; MOSFET devices
- Semiconductor physics
- Halvledarfysik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas