id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-84794"
Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-84794" > Band structure evol...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Band structure evolution in InAs overlayers on GaAs(110)
- He, Z Q (författare)
- Ilver, L (författare)
- Kanski, J (författare)
- visa fler...
- Nilsson, P O (författare)
- Songsiriritthigul, P (författare)
- Holmen, G (författare)
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 1996
- 1996
- Engelska.
- Ingår i: Applied Surface Science. - 0169-4332 .- 1873-5584. ; 104, s. 608-614
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- An angle-resolved photoemission study of MBE grown InAs/GaAs(110) hetero-structures was carried out to investigate the establishment of valence bands as a function of overlayer thickness. The valence band spectra were found to change gradually up to thicknesses well above 10 nm. The data are interpreted in terms of excitations within the overlayer from a combination of substrate and overlayer initial states, the former tailing into the overlayer.
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- Applied Surface Science (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- He, Z Q
- Ilver, L
- Kanski, J
- Nilsson, P O
- Songsiriritthigu ...
- Holmen, G
- visa fler...
- Karlsson, Ulf O
- visa färre...
- Artiklar i publikationen
- Applied Surface ...
- Av lärosätet
- Kungliga Tekniska Högskolan
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
