Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-92170" >
2.2 kV SiC BJTs wit...
2.2 kV SiC BJTs with low V(CESAT) fast switching and short-circuit capability
-
- Domeij, Martin (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
Zaring, C. (författare)
-
Konstantinov, A. O. (författare)
-
visa fler...
-
Nawaz, M. (författare)
-
Svedberg, J-O (författare)
-
Gumaelius, K. (författare)
-
Keri, I. (författare)
-
Lindgren, A. (författare)
-
Hammarlund, B. (författare)
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
Reimark, M. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2010
- 2010
- Engelska.
-
Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2009, PTS 1 AND 2. ; , s. 1033-1036
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- This paper reports large active area (15 mm(2)) 4H-SiC BJTS with a low V(CESAT)=0.6 V at 1(C)=20 A (J(C)=133 A/cm(2)) and an open-base breakdown voltage BV(CEO)=2.3 kV at T=25 degrees C. The corresponding room temperature specific on-resistance R(SP.ON)=4.5 m Omega cm(2) is to the authors knowledge the lowest reported value for a large area SiC BJT blocking more than 2 kV. The onstate and blocking characteristics were analyzed by device simulation and found to be in good agreement with measurements. Fast switching with VcE rise- and fall-times in the range of 20-30 ns was demonstrated for a 6 A 1200 V rated SiC BJT. It was concluded that high dynamic base currents are essential for fast switching to charge the BJT parasitic base-collector capacitance. In addition, 10 mu s short-circuit capability with V(CE)=800 V was shown for the 1200 V BJT.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Bipolar junction transistor
- V(CESAT)
- switching
- safe operating area
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
- Av författaren/redakt...
-
Domeij, Martin
-
Zaring, C.
-
Konstantinov, A. ...
-
Nawaz, M.
-
Svedberg, J-O
-
Gumaelius, K.
-
visa fler...
-
Keri, I.
-
Lindgren, A.
-
Hammarlund, B.
-
Östling, Mikael
-
Reimark, M.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
- Artiklar i publikationen
- SILICON CARBIDE ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan