Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-112488" >
Characterization of...
Characterization of deep acceptor level in as-grown ZnO thin film by molecular beam epitaxy
-
- Asghar, M. (författare)
- Islamia University of Bahawalpur, Pakistan
-
- Mahmood, K. (författare)
- Islamia University of Bahawalpur, Pakistan
-
- Hasan, M. A. (författare)
- University of N Carolina, NC 28223 USA
-
visa fler...
-
- Ferguson, I. T. (författare)
- University of N Carolina, NC 28223 USA
-
- Tsu, R. (författare)
- University of N Carolina, NC 28223 USA
-
- Willander, Magnus (författare)
- Linköpings universitet,Fysik och elektroteknik,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2014-09-12
- 2014
- Engelska.
-
Ingår i: Chinese Physics B. - : IOP Publishing. - 1674-1056. ; 23:9, s. 097101-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We report deep level transient spectroscopy results from ZnO layers grown on silicon by molecular beam epitaxy (MBE). The hot probe measurements reveal mixed conductivity in the as-grown ZnO layers, and the current-voltage (I-V) measurements demonstrate a good quality p-type Schottky device. A new deep acceptor level is observed in the ZnO layer having activation energy of 0.49 +/- 0.03 eV and capture cross-section of 8.57 +/- 10(-18) cm(2). Based on the results from Raman spectroscopy, photoluminescence, and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) of the ZnO layer, the observed acceptor trap level is tentatively attributed to a nitrogen-zinc vacancy complex in ZnO.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- ZnO; secondary ion mass spectroscopy; photoluminescence; Raman spectroscopy
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas