SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-128858"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-128858" > LTPL Investigation ...

LTPL Investigation of N-Ga and N-Al Donor-Acceptor Pair Spectra in 3C-SiC Layers Grown by VLS on 6H-SiC Substrates

Sun, J. W. (författare)
Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
Zoulis, G. (författare)
Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
Lorenzzi, J. (författare)
Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France
visa fler...
Jegenyes, N. (författare)
Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France
Juillaguet, S. (författare)
Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
Peyre, H. (författare)
Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
Souliere, V (författare)
Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France
Ferro, G. (författare)
Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France
Milesi, F. (författare)
CEA-LETI/MINATEC, 38054 Grenoble cedex 9, France
Camassel, J. (författare)
Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
visa färre...
Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov 1918, 69622 Villeurbanne, France (creator_code:org_t)
2010
2010
Engelska.
Ingår i: Silicon Carbide and Related Materials 2009. ; , s. 415-418
  • Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Ga-doped 3C-SiC layers have been grown on on-axis 6H-SiC (0001) substrates by the VLS technique and investigated by low temperature photoluminescence (LTPL) measurements. On these Ga-doped samples, all experimental spectra collected at 5K were found dominated by strong N-Ga donor-acceptor pair (DAP) transitions and phonon replicas. As expected, the N-Ga DAP zero-phonon line (ZPL) was located at lower energy ( 86 meV) below the N-Al one. Fitting the transition energies for the N-Al close DAP lines gave 251 meV for the Al acceptor binding energy in 3C-SiC and, by comparison, 337 meV for the Ga acceptor one.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Nyckelord

Donor-Acceptor Pair
Photoluminescence (PL)

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
kon (ämneskategori)

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy