Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-153288" >
Smooth 4H-SiC epila...
Smooth 4H-SiC epilayers grown with high growth rates with silane/propane chemistry using 4° off-cut substrates
-
- Lilja, Louise, 1985- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- ul-Hassan, Jawad, 1974- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Janzén, Erik, 1954- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
visa fler...
-
- Bergman, Peder, 1961- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications, 2016
- 2016
- Engelska.
-
Ingår i: Silicon Carbide and Related Materials 2015. - : Trans Tech Publications. ; , s. 209-212
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- 4H-SiC epilayers with very smooth surfaces were grown with high growth rates on 4° off-cut substrates using standard silane/propane chemistry. Specular surfaces with RMS values below 0.2 nm are presented for epilayers grown with growth rates up to 30 μm/h using horizontal hot-wall chemical vapor deposition, with up to 100 μm thickness. Optimization of in-situ etching conditions and C/Si ratio are presented.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Atomic force microscopy
- Chemical vapor deposition
- Epitaxial growth
- Silicon carbide
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)