Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-163026" >
Emission Properties...
Emission Properties of GaN Planar Hexagonal Microcavities
-
- Pozina, Galia (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Hemmingsson, Carl (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Belonovskii, Alexei V. (författare)
- St Petersburg Acad Univ, Russia
-
visa fler...
-
- Levitskii, Iaroslav V. (författare)
- ITMO Univ, Russia; Ioffe Inst, Russia
-
- Mitrofanov, Maxim I. (författare)
- ITMO Univ, Russia; Ioffe Inst, Russia
-
- Girshova, Elizaveta I. (författare)
- St Petersburg Acad Univ, Russia; ITMO Univ, Russia; Ioffe Inst, Russia
-
- Ivanov, Konstantin A. (författare)
- ITMO Univ, Russia
-
- Rodin, Sergey N. (författare)
- Ioffe Inst, Russia
-
- Morozov, Konstantin M. (författare)
- St Petersburg Acad Univ, Russia; ITMO Univ, Russia
-
- Evtikhiev, Vadim P. (författare)
- Ioffe Inst, Russia
-
- Kaliteevski, Mikhail A. (författare)
- St Petersburg Acad Univ, Russia; ITMO Univ, Russia; Ioffe Inst, Russia
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2019-12-30
- 2020
- Engelska.
-
Ingår i: Physica Status Solidi (a) applications and materials science. - : WILEY-V C H VERLAG GMBH. - 1862-6300 .- 1862-6319. ; 217:14
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Fabrication of microcavities based on III-nitrides is challenging due to difficulties with the coherent growth of heterostructures having a large number of periods, at the same time keeping a good precision in terms of thickness and composition of the alloy. A planar design for GaN microresonators supporting whispering gallery modes is suggested. GaN hexagonal microstructures are fabricated by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy using focused ion beam for mask patterning. Low-temperature cathodoluminescence spectra measured with a high spatial resolution demonstrate two dominant emission lines in the near bandgap region. These lines merge at room temperature into a broad emission band peaking at approximate to 3.3 eV, which is shifted toward lower energies compared with the reference excitonic spectrum measured for the GaN layer. A numerical analysis of exciton-polariton modes shows that some strongly localized cavity modes can have high Purcell coefficients and can strongly interact with the GaN exciton.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- cavity modes; GaN hexagonal microstructures; planar microcavities; Purcell factor; selective area epitaxy
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Pozina, Galia
-
Hemmingsson, Car ...
-
Belonovskii, Ale ...
-
Levitskii, Iaros ...
-
Mitrofanov, Maxi ...
-
Girshova, Elizav ...
-
visa fler...
-
Ivanov, Konstant ...
-
Rodin, Sergey N.
-
Morozov, Konstan ...
-
Evtikhiev, Vadim ...
-
Kaliteevski, Mik ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Physica Status S ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet