Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-16864" >
Reducing Thermal Re...
Reducing Thermal Resistance of AlGaN/GaN Electronic Devices Using Novel Nucleation Layers
-
- Riedel, Gernot J (författare)
- University of Bristol
-
- Pomeroy, James W (författare)
- University of Bristol
-
- Hilton, Keith P (författare)
- QinetiQ Ltd
-
visa fler...
-
- Maclean, Jessica O (författare)
- QinetiQ Ltd
-
- Wallis, David J (författare)
- QinetiQ Ltd
-
- Uren, Michael J (författare)
- QinetiQ Ltd
-
- Martin, Trevor (författare)
- QinetiQ Ltd
-
- Forsberg, Urban (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Lundskog, Anders (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Kakanakova-Georgieva, Anelia, 1970- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Pozina, Galia (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Lossy, Richard (författare)
- Ferdinand Braun Institute Hochstfrequenztech
-
- Pazirandeh, Reza (författare)
- Ferdinand Braun Institute Hochstfrequenztech
-
- Brunner, Frank (författare)
- Ferdinand Braun Institute Hochstfrequenztech
-
- Wuerfl, Joachim (författare)
- Ferdinand Braun Institute Hochstfrequenztech
-
- Kuball, Martin (författare)
- University of Bristol
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2009
- 2009
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 30:2, s. 103-106
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Currently, up to 50% of the channel temperature in AlGaN/GaN electronic devices is due to the thermal-boundary resistance (TBR) associated with the nucleation layer (NL) needed between GaN and SiC substrates for high-quality heteroepitaxy. Using 3-D time-resolved Raman thermography, it is shown that modifying the NL used for GaN on SiC epitaxy from the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)-grown standard AIN-NL to a hot-wall MOCVD-grown AIN-NL reduces NL TBR by 25%, resulting in similar to 10% reduction of the operating temperature of AlGaN/GaN HEMTs. Considering the exponential relationship between device lifetime and temperature, lower TBR NLs open new opportunities for improving the reliability of AlGaN/GaN devices.
Nyckelord
- CVD
- epitaxial layers
- FETs
- gallium compounds
- MODFETs
- resistance heating
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Riedel, Gernot J
-
Pomeroy, James W
-
Hilton, Keith P
-
Maclean, Jessica ...
-
Wallis, David J
-
Uren, Michael J
-
visa fler...
-
Martin, Trevor
-
Forsberg, Urban
-
Lundskog, Anders
-
Kakanakova-Georg ...
-
Pozina, Galia
-
Janzén, Erik
-
Lossy, Richard
-
Pazirandeh, Reza
-
Brunner, Frank
-
Wuerfl, Joachim
-
Kuball, Martin
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
IEEE Electron De ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet