Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-34871" >
Statis random acces...
Statis random access memory with symmetric leakage-compensated bit line.
-
- Alvandpour, Atila, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Elektroniska komponenter
-
- Somasekhar, Dinesh (författare)
- Intel Corp., USA
-
- Hsu, Steven K. (författare)
- Intel Corp., USA
-
visa fler...
-
- Krishnamurthy, Ram K. (författare)
- Intel Corp., USA
-
- De, Vivek K. (författare)
- Intel Corp., USA
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2004
- Engelska.
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- An eight-cell for static random access memory, the memory cell comprising cross-coupled inverters to store the information bit, two access nMOSFETs connected to local bit lines to access the stored information bit, and two nMOSFETs each having a gate connected to ground and coupled to the local bit lines and the cross-coupled inverters so that sub-threshold leakage currents to and from the local bit lines for a memory cell not being read are balanced.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- pop (ämneskategori)
- pat (ämneskategori)