Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-41156" >
Clustering of vacan...
Clustering of vacancy defects in high-purity semi-insulating SiC
-
Aavikko, R. (författare)
-
Saarinen, K. (författare)
-
Tuomisto, F. (författare)
-
visa fler...
-
- Magnusson, Björn, 1970- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Nguyen, Son Tien, 1953- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Janzén, Erik, 1954- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121 .- 1550-235X. ; 75:8, s. 085208-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Positron lifetime spectroscopy was used to study native vacancy defects in semi-insulating silicon carbide. The material is shown to contain (i) vacancy clusters consisting of four to five missing atoms and (ii) Si-vacancy-related negatively charged defects. The total open volume bound to the clusters anticorrelates with the electrical resistivity in both as-grown and annealed materials. Our results suggest that Si-vacancy-related complexes electrically compensate the as-grown material, but migrate to increase the size of the clusters during annealing, leading to loss of resistivity. © 2007 The American Physical Society.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas