id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-43437"
Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-43437" > Highly doped p-type...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Highly doped p-type 3C-SiC on 6H-SiC substrates
-
- Lebedev, A.A. (författare)
- Russian Academy of Sciences
-
- Abramov, P.L. (författare)
- Russian Academy of Sciences
-
- Bogdanova, E.V. (författare)
- Russian Academy of Sciences
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2008-05-07
- 2008
- Engelska.
- Ingår i: Semiconductor Science and Technology. - : IOP Publishing. - 0268-1242 .- 1361-6641. ; 23:7
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Highly doped p-3C-SiC layers of good crystal perfection have been grown by sublimation epitaxy in vacuum. Analysis of the photoluminescence spectra and temperature dependence of the carrier concentration shows that at least two types of acceptor centers at ∼EV + 0.25 eV and at EV + 0.06-0.07 eV exist in the samples studied. A conclusion is reached that layers of this kind can be used as p-emitters in 3C-SiC devices. © 2008 IOP Publishing Ltd.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- Semiconductor Science and Technology (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Lebedev, A.A.
- Abramov, P.L.
- Bogdanova, E.V.
- Lebedev, S.P.
- Nelson, D.K.
- Oganesyan, G.A.
- visa fler...
- Tregubova, A.S.
- Yakimova, Rosits ...
- visa färre...
- Artiklar i publikationen
- Semiconductor Sc ...
- Av lärosätet
- Linköpings universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
