Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-43444" >
P- and n-type dopin...
P- and n-type doping in SiC sublimation epitaxy using highly doped substrates
-
- Hens, Philip (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Syväjärvi, Mikael, 1968- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
Oehlschläger, F. (författare)
-
visa fler...
-
Wellman, P. (författare)
-
- Yakimova, Rositsa, 1942- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Materials Science Forum Vols. 615-617 : Trans Tech Publications, 2009
- 2009
- Engelska.
-
Ingår i: ECSCRM2008,2008. - Materials Science Forum Vols. 615-617 : Trans Tech Publications. - 9780878493340 ; , s. 85-88
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The co-doping of nitrogen and aluminum has been studied in the sublimation epitaxy growth process. It is shown that the doping may be tuned from n-type to p-type by effect of substrate doping, growth face and volume of the growth crucible. The co-doped layers show a nearly ideal I V characteristic and luminescence at room temperature.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas