Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-43504" >
Defects introduced ...
Defects introduced by electron-irradiation at low temperatures in SiC
-
- Nguyen, Son Tien, 1953- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
Isoya, J. (författare)
-
Morishita, N. (författare)
-
visa fler...
-
Ohshima, T. (författare)
-
Itoh, H. (författare)
-
- Gali, Adam, 2000- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Janzén, Erik, 1954- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publicarions, 2009
- 2009
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum Vols. 615-617. - : Trans Tech Publicarions. - 9780878493340 ; , s. 377-380
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Defects introduced by electron irradiation at ~80-100 K in 3C-, 4H- and 6H-SiC were studied by electron paramagnetic resonance (EPR). A number of EPR spectra, labelled LE1-10, were detected. Combining EPR and supercell calculations, we will show that the LE1 center in 3C-SiC with C2v symmetry and an electron spin S=3/2 is related to the (VSi-Sii)3+ Frenkel pair between the silicon vacancy and a second neighbour Sii interstitial along the <100> direction. Results on other centers, possibly also related to interstitials, are discussed.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas