Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-46173" >
Micro-Raman scatter...
Micro-Raman scattering profiling studies on HVPE-grown free-standing GaN
-
- Kasic, A. (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Gogova, Daniela (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Larsson, Henrik (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Hemmingsson, Carl (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Ivanov, Ivan Gueorguiev (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Bundesmann, C. (författare)
- Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Leipzig, Germany
-
- Schubert, M. (författare)
- Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Leipzig, Germany
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Wiley, 2004
- 2004
- Engelska.
-
Ingår i: Physica status solidi. A, Applied research. - : Wiley. - 0031-8965 .- 1521-396X. ; 201:12, s. 2773-2776
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Free-standing GaN of ∼330 μm thickness with low defect density was prepared by hydride vapor-phase epitaxy (HVPE) on sapphire in a vertical atmospheric-pressure reactor and a subsequent laser-induced lift-off process. The structural and optical properties of the material were assessed by various characterization techniques, like X-ray diffraction, photo- and cathodoluminescence, spectroscopic ellipsometry, positron annihilation spectroscopy, and transmission electron microscopy. Here, we focus on μ-Raman scattering profiling studies providing the vertical strain distribution and the evolution of the crystalline quality with increasing layer thickness. Profiles of the free-carrier concentration are obtained from monitoring the LO-phonon plasmon coupled mode. Comparative investigations are performed on the material before and after separation of the sapphire substrate. The GaN material presented here is well capable of serving as a substrate for further homoepitaxial strain-relaxed and crack-free growth needed for fabrication of high-quality III-nitride device heterostructures.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas