Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-47332" >
X-ray reciprocal sp...
X-ray reciprocal space mapping studies of strain relaxation in thin SiGe layers (=100 nm) using a low temperature growth step
-
- Ni, Wei-Xin (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Yt- och Halvledarfysik
-
- Lyutovich, K. (författare)
- Institut fuer Halbleitertechnik, Universität Stuttgart, 70569 Stuttgart, Germany
-
- Alami, Jones (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Plasma och ytbeläggningsfysik
-
visa fler...
-
- Tengstedt, Carl (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för teknik och naturvetenskap
-
- Bauer, M. (författare)
- Institut fuer Halbleitertechnik, Universität Stuttgart, 70569 Stuttgart, Germany
-
- Kasper, E. (författare)
- Institut fuer Halbleitertechnik, Universität Stuttgart, 70569 Stuttgart, Germany
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Crystal Growth. - 0022-0248 .- 1873-5002. ; 227-228, s. 756-760
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Relaxation of thin SiGe layers (~90 nm) grown by molecular beam epitaxy using a low temperature growth step (120-200°C) has been investigated using two-dimensional reciprocal space mapping of X-ray diffraction. The samples studied have been divided in two groups, depending on the substrate cooling process during the growth of the low temperature layer. It has been found that a higher degree of relaxation was easily achieved for the sample group without growth interruption. A process window for full relaxation of the Si0.74Ge0.26 layer has been observed in the range of 140-150°C. © 2001 Elsevier Science B.V.
Nyckelord
- A1. X-ray diffraction
- A3. Molecular beam epitaxy
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas