SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-47342"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-47342" > Si/SiGe electron re...

Si/SiGe electron resonant tunneling diodes with graded spacer wells

Paul, D.J. (författare)
Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Madingley Road, Cambridge, CB3 0HE, United Kingdom
See, P. (författare)
Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Madingley Road, Cambridge, CB3 0HE, United Kingdom
Bates, R. (författare)
Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Madingley Road, Cambridge, CB3 0HE, United Kingdom
visa fler...
Griffin, N. (författare)
Natl. Microlectron. Research Centre, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland
Coonan, B.P. (författare)
Natl. Microlectron. Research Centre, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland
Redmond, G. (författare)
Natl. Microlectron. Research Centre, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland
Crean, G.M. (författare)
Natl. Microlectron. Research Centre, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland
Zozoulenko, Igor (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för teknik och naturvetenskap
Berggren, Karl-Fredrik (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Teoretisk Fysik
Hollander, B. (författare)
Holländer, B., Inst. fur Schicht und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Mantl, S. (författare)
Inst. fur Schicht und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich, Germany
visa färre...
Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Madingley Road, Cambridge, CB3 0HE, United Kingdom Natl Microlectron. Research Centre, University College Cork, Lee Maltings, Prospect Row, Cork, Ireland (creator_code:org_t)
AIP Publishing, 2001
2001
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 78:26, s. 4184-4186
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Resonant tunneling diodes have been fabricated using graded Si1 - xGex (x = 0.3?0.0) spacer wells and strained Si0.4Ge0.6 barriers on a relaxed Si0.7Ge0.3 n-type substrate which demonstrates negative differential resistance at up to 100 K. This design is aimed at reducing the voltage at which the peak current density is achieved. Peak current densities of 0.08 A/cm2 with peak-to-valley current ratios of 1.67 have been achieved for a low peak voltage of 40 mV at 77 K. This represents an improvement of over an order of magnitude compared to previous work. © 2001 American Institute of Physics.

Nyckelord

TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy