Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-47376" >
Optical properties ...
Optical properties of GaNAs/GaAs structures
-
- Buyanova, Irina A. (författare)
- Linköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan
-
- Chen, Weimin (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Funktionella elektroniska material
-
- Pozina, Galia (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa fler...
-
Hai, P.N. (författare)
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Xin, H.P. (författare)
- Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, CA 92093-0407, United States
-
- Tu, C.W. (författare)
- Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, CA 92093-0407, United States
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science & Engineering. - 0921-5107 .- 1873-4944. ; 82:1-3, s. 143-147
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We review our recent results on optical characterization of MBE-grown GaNAs/GaAs quantum structures with N content up to 4.5%, by employing photoluminescence (PL), PL excitation, and time-resolved PL spectroscopies. The dominant PL mechanism has been determined as recombination of excitons trapped by potential fluctuations of the band edge, due to composition disorder and strain nonuniformity of the alloy. The estimated value of the localization potential is around 60 meV for the low-temperature grown structures and can be reduced by increasing the growth temperature or using post-growth rapid thermal annealing (RTA). © 2001 Elsevier Science S.A.
Nyckelord
- Defect
- Disorder
- GaNAs
- Localization
- Photoluminescence
- Recombination
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas