Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-47998" >
Influence of well-w...
Influence of well-width fluctuations on the electronic structure of GaN/AlxGa1-xN multiquantum wells with graded interfaces
-
Valcheva, E. (författare)
-
Dimitrov, S. (författare)
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa fler...
-
Haratizadeh, H. (författare)
-
- Persson, Per (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
Amano, H. (författare)
-
Akasaki, I. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: Acta Physica Polonica. A. - 0587-4246 .- 1898-794X. ; 112:2, s. 395-400
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Experimental and computation results based on chemical composition assessment of metal-organic chemical vapour deposition grown undoped GaN/AlxGa1-xN multiquantum well structures in the low composition limit of x = 0.07 and wide wells demonstrate composition fluctuations in the barrier layers which lead to large-scale nonuniformities and inequivalence of the different wells. As a consequence the experimental photoluminescence spectra at low temperature show a double peak structure indicative of well-width fluctuations by one lattice parameter (2 monolayers).
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas