Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-48232" >
High Field Effect M...
High Field Effect Mobility in Si Face 4H-SiC MOSFET Made on Sublimation Grown Epitaxial Material
-
Sveinbjornsson, EO (författare)
-
Olafsson, HO (författare)
-
Gudjonsson, G (författare)
-
visa fler...
-
Allerstam, F (författare)
-
- Nilsson, Patrik (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Syväjärvi, Mikael (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Hallin, Christer (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
Rodle, T (författare)
-
Jos, R (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2005
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 483-485. ; , s. 841-844
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We report on fabrication and characterization of n-channel Si face 4H-SiC MOSFETs made using sublimation grown epitaxial material. Transistors made on this material exhibit record-high peak field effect mobility of 208 cm(2)/Vs while reference transistors made on a commercial epitaxial material grown by chemical vapor deposition (CVD) show field effect mobility of 125 cm(2)/VS. The mobility enhancement is attributed to better surface morphology of the sublimation grown epitaxial layer.
Nyckelord
- MOSFET
- field effect mobility
- sublimation growth
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
- Av författaren/redakt...
-
Sveinbjornsson, ...
-
Olafsson, HO
-
Gudjonsson, G
-
Allerstam, F
-
Nilsson, Patrik
-
Syväjärvi, Mikae ...
-
visa fler...
-
Yakimova, Rosits ...
-
Hallin, Christer
-
Rodle, T
-
Jos, R
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
- Materials Scienc ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet