Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-48300" >
Simple model for ca...
Simple model for calculation of SiC epitaxial layers growth rate in vacuum.
-
Davydov, SY (författare)
-
Savkina, NS (författare)
-
- Lebedev, Alexander (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
visa fler...
-
- Syväjärvi, Mikael (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2004
- 2004
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 457-460. ; , s. 249-252
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Within the frame of a simple model, based on Hertz-Knudsen equation with account of temperature dependant sticking coefficient, temperature dependence of silicon carbide epitaxial layers growth rate in vacuum has been calculated. Calculation results are in a good agreement with the experimental data.
Nyckelord
- simple model
- growth rate
- sublimation epitaxy
- vacuum
- SiC
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)