Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-48554" >
A cause for SiC/SiO...
A cause for SiC/SiO2 interface states : The site selection of oxygen in SiC
-
Deak, P (författare)
-
- Gali, Adam (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
Hajnal, Z (författare)
-
visa fler...
-
Frauenheim, T (författare)
-
- Nguyen, Tien Son (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
Choyke, WJ (författare)
-
Ordejon, P (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2003
- 2003
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436. ; , s. 535-538
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We show that in the SiC/SiO2 system the interface states in the lower half of the gap are the consequence of the behavior of oxygen in SiC. Investigating the elemental steps of oxidation on a simple model by means of ab initio density functional calculations we find that, in course of the oxidation, carbon-vacancy (V-C) - oxygen complexes constantly arise. The V-C+O complexes have donor states around E-V+0.8 eV. Their presence gives rise to a thin transition layer which is not SiO2 but an oxygen contaminated Si-rich interface layer producing the aforementioned gap states.
Nyckelord
- interface states
- SiO2
- theory
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)