Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-49234" >
Determination of mi...
Determination of microdistortion components and their application to structural characterization of HVBE GaN epitaxial layers
-
- Ratnikov, VV (författare)
- RAS, Ioffe Inst, St Petersburg 194021, Russia Linkoping Univ, S-58183 Linkoping, Sweden
-
- Kyutt, RN (författare)
- RAS, Ioffe Inst, St Petersburg 194021, Russia Linkoping Univ, S-58183 Linkoping, Sweden
-
- Shubina, Tatiana (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
visa fler...
-
- Paskova, Tanja (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Physics D. - 0022-3727 .- 1361-6463. ; 34:10A, s. A30-A34
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The dislocation structure of hydride vapour phase epitaxial thick GaN layers grown on sapphire is studied by analysis of the microdistortion tenser components. Symmetrical reflections (including reflections from planes forming large angles with the basal plane) with two modes of scanning (theta and theta -2 theta) in two geometries (Bragg and Lane) are used to obtain the tenser components. The instant connections between the tenser components and major dislocation types are specified. Different types of dislocation distributions have been identified in the thick GaN films grown on sapphire without and with undoped and Si-doped metal-organic chemical vapour deposited templates.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas